[发明专利]LED显示器制备方法及LED显示器

说明书

本申请提供一种LED显示器制备方法及LED显示器。其中，先将衬底上的LED单晶层与显示背板上的金属层直接进行键合后，再对LED单晶层上的衬底进行剥离，之后在显示背板上对LED单晶层和金属层进行刻蚀而形成LED阵列。这样，无需经过热辅助技术对衬底上的LED颗粒进行高难度的巨量矩阵转移，便可将LED颗粒全部转移至显示背板，提高转移成功率，降低转移成本，本申请可提高LED的发光效率和使用寿命。

技术领域

本申请涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种LED显示器制备方法及LED显示器。

背景技术

微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro-LED)不仅具有高效率、高亮度、高可靠度及反应快的特点，还具有结构简易、体积小、节能等优势，逐渐被应用于显示领域。

Micro-LED技术是一种将LED结构设计进行薄膜化、微小化与阵列化的技术。在现有的Micro-LED阵列制备工艺上，由于晶格匹配的原因，Micro-LED颗粒必须先在衬底上通过分子束外延生长出来，再由复杂的微机电系统(Micro Electro Mechanical System，MEMS)静电拾取器件将Micro-LED颗粒进行巨量矩阵转移至显示背板上。

在基于静电拾取器件的巨量矩阵转移过程中需要采用热辅助技术对Micro-LED颗粒进行加热，这会影响LED的发光效率和使用寿命。

发明内容

本申请的多个方面提供一种LED显示器制备方法及LED显示器，用以避免巨量矩阵转移，提高Micro-LED的发光效率。

本申请实施例提供一种LED显示器制备方法，包括：

在衬底上生长LED单晶层，并在显示背板上形成金属层；

将所述衬底上的LED单晶层与所述显示背板上的金属层进行键合；

在键合后，将所述衬底从所述LED单晶层上剥离掉；

按照所述LED显示器的LED阵列结构，对所述LED单晶层和所述金属层进行刻蚀，以在所述显示背板上形成LED阵列；

在所述LED阵列上方覆盖透明或半透明电极层，以形成所述LED显示器。

本申请实施例还提供一种LED显示器，包括：显示背板、形成于所述显示背板上的LED阵列以及覆盖于所述LED阵列上方的透明或半透明电极层。

在本申请实施例中，先将衬底上的LED单晶层与显示背板上的金属层直接进行键合后，再对LED单晶层上的衬底进行剥离，之后在显示背板上对LED单晶层和金属层进行刻蚀而形成LED阵列。这样，无需经过热辅助技术对衬底上的LED颗粒进行高难度的巨量矩阵转移，便可将LED颗粒全部转移至显示背板，可提高LED的发光效率和使用寿命。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为本申请一实施例提供的一种LED显示器制备方法的流程示意图；

图2a为本申请一实施例提供的另一种LED显示器制备方法的流程示意图；

图2b-图2h为本申请一实施例提供的LED显示器制备方法中各阶段对应的LED显示器的结构示意图；

图3a为本申请另一实施例提供的一种LED显示器制备方法的流程示意图；

图3b-图3h为本申请另一实施例提供的LED显示器制备方法中各阶段对应的LED显示器的结构示意图；

图4为本申请又一实施例提供的一种LED显示器的结构示意图。