[发明专利]一种区分PMOS栅极与源漏极或N阱之间漏电的方法

权利要求书

1.一种区分PMOS栅极与源漏极或N阱之间漏电的方法，其特征是，包含以下步骤：

使用纳米点针对失效PMOS进行2针漏电测试，其中一针扎在栅极上，另一针扎在N阱上，从而测量栅极到N阱是否存在漏电，得到电流-电压曲线图；其中，

如果所述电流-电压曲线为正比斜线，则栅极与N阱之间存在漏电；如果所述电流-电压曲线为二极管开启曲线，则栅极到源漏极短路；

使用聚焦离子束将所述失效PMOS整体做成平面TEM样品，

然后从所述PMOS的衬底一边开始减薄所述平面TEM样品，切到活性区/浅沟道隔离槽时将聚焦离子束换成最小电流，将扫描电镜换成高电压,在活性区切到很薄直至可以看到钨栓塞底部时停刀。

2.根据权利要求1所述的一种区分PMOS栅极与源漏极或N阱之间漏电的方法，其特征是：

当栅极到源漏极存在短路时，所述方法进一步包括以下步骤：

记下短路点位置并在所述平面TEM样品基础上做二次截面TEM薄区制备。

3.根据权利要求2所述的一种区分PMOS栅极与源漏极或N阱之间漏电的方法，其特征是：

所述二次截面TEM薄区制备的方法为：将所述平面TEM样品取下放平，再在其上切截面TEM，从所述短路点位置的两侧减薄所述截面TEM直至接近所述短路点位置，停刀并包起，得到所述二次截面TEM薄区。

4.根据权利要求1所述的一种区分PMOS栅极与源漏极或N阱之间漏电的方法，其特征是：

当栅极与N阱之间存在漏电时，所述方法进一步包括以下步骤：

将所述平面TEM样品的第一面减薄至栅极CoSi消失，再将样品放入感应耦合等离子体刻蚀机，用硅刻蚀工艺将所述平面TEM样品两面的硅层全部消除，得到二次平面TEM样品。

5.根据权利要求3或4所述的一种区分PMOS栅极与源漏极或N阱之间漏电的方法，其特征是：

所述方法进一步包括如下步骤：

将所述二次截面TEM薄区或者二次平面TEM样品放入TEM，分析失效结构。