[发明专利]影像传感器封装体

权利要求书

1.一种影像传感器封装体，包括：

一介质层，具有一第一表面和相对于该第一表面的一第二表面；

一金属-绝缘体-金属结构，设置于该介质层的该第一表面上，其中该金属-绝缘体-金属结构包括一第一金属层、一第一绝缘层和一第二金属层，且该第一绝缘层设置于该第一金属层与该第二金属层之间；以及

一光学滤光片，设置于该介质层的该第二表面上；

其中该介质层包括一间隙物层、一空腔和一透明材料。

2.如权利要求1所述的影像传感器封装体，其中该光学滤光片为红外线穿透、红光穿透、绿光穿透或蓝光穿透的滤光片，且该光学滤光片的厚度在10μm至20μm的范围内。

3.如权利要求1所述的影像传感器封装体，还包括：

一半导体基底，具有一光电转换区，

其中该介质层设置于该半导体基底上，且该金属-绝缘体-金属结构设置于该半导体基底与该光学滤光片之间。

4.如权利要求1所述的影像传感器封装体，还包括：

一半导体基底，具有一光电转换区，

其中该介质层设置于该半导体基底上，且该光学滤光片设置于该半导体基底与该金属-绝缘体-金属结构之间。

5.如权利要求1所述的影像传感器封装体，其中该透明材料设置于该间隙物层与该光学滤光片之间，且该间隙物层、该金属-绝缘体-金属结构和该透明材料将该空腔密封。

6.如权利要求1所述的影像传感器封装体，还包括：

一半导体基底，具有一光电转换区，

其中该透明材料位于该光学滤光片与该半导体基底之间。

7.如权利要求1所述的影像传感器封装体，还包括：

一半导体基底，具有一光电转换区，

其中该透明材料位于该金属-绝缘体-金属结构与该半导体基底之间。

8.如权利要求1所述的影像传感器封装体，还包括：

一半导体基底，具有一光电转换区；

其中该介质层包括一透明材料，且该透明材料的折射率在1.2至1.6的范围内，且其中该介质层设置于该金属-绝缘体-金属结构上，且该金属-绝缘体-金属结构设置于该介质层与该半导体基底之间。

9.如权利要求1所述的影像传感器封装体，还包括：

一半导体基底，具有一光电转换区；

其中该介质层包括一透明材料，且该透明材料的折射率在1.2至1.6的范围内，且其中该介质层设置于该光学滤光片上，且该光学滤光片设置于该介质层与该半导体基底之间。

10.如权利要求1所述的影像传感器封装体，其中该第一金属层和该第二金属层由银制成，且该第一绝缘层由非晶硅制成，以及

其中该第一金属层具有一第一厚度，该第二金属层具有一第二厚度，该第一绝缘层具有一第三厚度，且该第三厚度大于该第一厚度和该第二厚度。

11.如权利要求1所述的影像传感器封装体，其中该金属-绝缘体-金属结构还包括一第二绝缘层和一第三绝缘层，且该第一金属层、该第一绝缘层和该第二金属层设置于该第二绝缘层与该第三绝缘层之间。

12.如权利要求1所述的影像传感器封装体，还包括：

一半导体基底，具有一光电转换区；以及

一高介电常数膜，设置于该半导体基底上且覆盖该光电转换区，其中该高介电常数膜设置于该金属-绝缘体-金属结构与该半导体基底之间。

13.如权利要求1所述的影像传感器封装体，其中该介质层的厚度大于该金属-绝缘体-金属结构的厚度，且该光学滤光片的厚度大于该金属-绝缘体-金属结构的厚度。