[发明专利]影像传感器封装体

说明书

影像传感器封装体包含介质层，其具有第一表面和相对于第一表面的第二表面。影像传感器封装体也包含金属‑绝缘体‑金属结构设置于介质层的第一表面上，其中金属‑绝缘体‑金属结构包含第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，且第一绝缘层设置于第一金属层与第二金属层之间。影像传感器封装体还包含光学滤光片设置于介质层的第二表面上。

技术领域

本发明涉及影像传感技术，具体涉及具有光学滤光片和金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，MIM)结构的影像传感器封装体。

背景技术

为了捕捉场景的彩色影像，影像传感器必须对广泛的光谱范围的光线具有敏感度。影像传感器对于自场景反射的光可产生反应，且能将光的强度转换为电子信号。影像传感器，例如电荷耦合元件(charge-coupled device，CCD)影像传感器，或者互补式金属氧化物半导体场效晶体管(complementary metal-oxide semiconductor，CMOS)影像传感器，一般具有将入射光转换为电子信号的光电转换区。此外，影像传感器具有传送和处理电子信号的逻辑电路。

现今，影像传感器广泛地应用于许多领域以及装置中，例如光传感器、近接(proximity)传感器、时差测距(time-of-flight，TOF)摄影机、光谱仪(spectrometer)、用于物联网(Internet of things，IOT)的智能传感器，以及先进驾驶辅助系统(advanceddriver assistance systems，ADAS)的传感器。

虽然现存的影像传感器封装体已足够应付它们原先预定的用途，但它们仍未在各个方面皆彻底的符合要求，因此影像传感器封装体目前仍有需克服的问题。

发明内容

根据本发明的一些实施例，影像传感器封装体具有设置于光电转换区上的光学滤光片和金属-绝缘体-金属结构。光学滤光片可吸收不预期被传送至影像传感器封装体的光电转换区的光，增加信号对杂讯(signal to noise，S/N)的比值。此外，金属-绝缘体-金属结构可窄化穿透至光电转换区的光的半峰全宽(full width at half maximum，FWHM)。结果，影像传感器封装体可产生较高的信号对杂讯(S/N)的比值。再者，金属-绝缘体-金属结构可帮助降低影像传感器封装体的蓝位移(blue shift)，以及减少大角度的入射光的角响应(angular response)的衰退。另外，由于金属-绝缘体-金属结构的厚度够薄，可降低影像传感器封装体的整体尺寸。

根据一些实施例，提供影像传感器封装体。影像传感器封装体包含介质层，其具有第一表面和相对于第一表面的第二表面。影像传感器封装体也包含设置于介质层的第一表面上的金属-绝缘体-金属结构，其中金属-绝缘体-金属结构包含第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，且第一绝缘层设置于第一金属层与第二金属层之间。影像传感器封装体还包含设置于介质层的第二表面上的光学滤光片。

以下实施例配合所附附图将提供更详细的说明。

附图说明

通过以下的详细说明配合所附附图，我们能更加理解本发明的实施例，其中：

图1A是根据一些实施例，显示影像传感器封装体的部分剖面示意图；

图1B是根据一些实施例，显示影像传感器封装体的部分剖面示意图；

图1C是根据一些实施例，显示影像传感器封装体的部分剖面示意图；

图1D是根据一些实施例，显示影像传感器封装体的部分剖面示意图；

图1E是根据一些实施例，显示影像传感器封装体的部分剖面示意图；

图1F是根据一些实施例，显示影像传感器封装体的部分剖面示意图；