[发明专利]半导体存储器件、标志生成电路以及输出半导体器件中的数据的方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，其包括：

存储器电路，其包括耦接在多个字线和多个位线之间的多个存储器单元，存储器电路被配置为经由全局输入和输出(输入/输出)线输出来自耦接至位线的存储器单元的数据；

标志生成电路，其被配置为基于在读取操作中经由全局输入/输出线提供的、用于每个位线的存储器单元中的数据之中具有特定逻辑电平的数据的数目来生成标志信号，标志信号包括复制数据标志信号和数据总线反相标志信号之中的至少一个；以及

输出电路，其被配置为基于复制数据标志信号和数据总线反相标志信号之中的至少一个来输出经由全局输入/输出线提供的、存储器单元中的数据。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

模式寄存器，其被配置为提供复制数据输出使能信号和数据总线反相使能信号，

其中，标志生成电路被配置为基于正在被使能的复制数据输出使能信号和正在被禁止的数据总线反相使能信号，而将用于每个位线的标志信号之中的至少一位生成为复制数据标志信号。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

模式寄存器，其被配置为提供复制数据输出使能信号和数据总线反相使能信号，

其中，标志生成电路被配置为基于正在被禁止的复制数据输出使能信号和正在被使能的数据总线反相使能信号，而将用于每个位线的标志信号输出为用于每个位线的数据总线反相标志信号。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

模式寄存器，其被配置为提供复制数据输出使能信号和数据总线反相使能信号，

其中，标志生成电路被配置为基于正在被使能的复制数据输出使能信号和正在被使能的数据总线反相使能信号，而将用于每个位线的标志信号之中的至少一位输出为复制数据标志信号，并且将用于每个位线的标志信号的其余位输出为用于每个位线的数据总线反相标志信号。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，标志生成电路包括：

初步标志生成电路，其被配置为响应于基于复制数据输出使能信号和数据总线反相使能信号而生成的标志生成使能信号，通过从位线接收存储器单元中的数据，基于具有特定逻辑电平的数据的数目来生成初步标志信号；以及

位线标志生成电路，其被配置为基于复制数据输出使能信号和数据总线反相使能信号，从用于每个位线的初步标志信号生成用于每个位线的标志信号。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中，初步标志生成电路包括耦接至位线的多个初步信号生成电路，并且每个初步信号生成电路被配置为将耦接至位线的存储器单元中的数据相加，以生成初步数据总线反相标志信号和初步复制数据标志信号。

7.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中，初步标志生成电路包括耦接至位线的多个初步信号生成电路，每个初步信号生成电路包括：

至少一个第一运算电路，其被配置为响应于标志生成使能信号，而接收来自耦接至位线的存储器单元的一对数据并将它们相加；

至少一个第二运算电路，其被配置为接收来自一对第一运算电路的输出信号并将它们相加；以及

确定电路，其被配置为从第二运算电路的输出信号中生成初步数据总线反相标志信号和初步复制数据标志信号。

8.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中，初步标志信号包括关于位线接收的初步数据总线反相标志信号和关于位线接收的初步复制数据标志信号，

位线标志生成电路包括：

第一位线标志生成电路，其被配置为基于关于位线接收的初步数据总线反相标志信号和关于位线接收的初步复制数据标志信号之中的至少一个来生成第一标志信号；以及

第二位线标志生成电路，其被配置为基于其余的关于位线接收的初步数据总线反相标志信号来生成第二标志信号。