[发明专利]半导体存储器件、标志生成电路以及输出半导体器件中的数据的方法有效
申请号: | 201711173003.5 | 申请日: | 2017-11-22 |
公开(公告)号: | CN108630255B | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 李釉钟 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C7/12 | 分类号: | G11C7/12;G11C7/18 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 李琳;王建国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 标志 生成 电路 以及 输出 半导体器件 中的 数据 方法 | ||
一种半导体存储器件可以包括:存储器电路,其包括耦接在多个字线和多个位线之间的多个存储器单元,并且被配置为经由全局输入/输出线从耦接至每个位线的存储器单元输出数据;标志生成电路,其被配置为生成关于位线接收的标志信号,所述标志信号可以基于在读取操作中可以经由全局输入/输出线提供的、用于每个位线的存储器单元中的数据之中具有特定逻辑电平的数据的数目,而包括复制数据标志信号和数据总线反相标志信号之中的至少一个;以及输出电路,其被配置为基于复制数据标志信号和数据总线反相标志信号之中的至少一个来输出数据。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年3月17日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2017-0033768的韩国申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
总体而言,各种实施例可以涉及一种半导体器件,更具体地,涉及半导体器件、标志生成电路和输出数据的方法。
背景技术
半导体存储器件的性能可以由各种因素确定。其中一个因素可能是数据处理速度。
具体地,主存储器或图形存储器的性能主要取决于半导体存储器件的数据处理速度。
近来,随着移动设备的多样化和普及,可能需要提供具有低功耗和高运行速度的应用于移动设备的半导体存储器件。
因此,可能需要使用半导体存储器件中的最少资源来快速处理数据。
发明内容
在一个实施例中,可以提供一种半导体存储器件。所述半导体存储器件可以包括存储器电路。所述半导体存储器件可以包括标志生成电路。所述半导体存储器件可以包括输出电路。所述存储器电路可以包括耦接在多个字线和多个位线之间的多个存储器单元。所述存储器电路可以被配置为经由全局输入和输出(输入/输出)线来输出耦接至位线的存储器单元中的数据。所述标志生成电路可以被配置为生成关于位线接收的标志信号。所述标志信号可以基于在读取操作中可以经由全局输入/输出线提供的、用于每个位线的存储器单元中的数据之中具有特定逻辑电平的数据的数目,而包括复制数据标志信号和数据总线反相标志信号之中的至少一个。所述输出电路可以被配置为响应于复制数据标志信号和数据总线反相标志信号之中的至少一个来输出经由全局输入/输出线提供的、存储器单元中的数据。
在一个实施例中,可以提供一种用于生成标志信号的电路。所述电路可以包括初步标志生成电路。所述电路可以包括标志生成电路。所述初步标志生成电路可以被配置为经由位线从存储器单元接收经由全局输入/输出线提供的数据。初步标志生成电路可以被配置为基于复制数据输出使能信号和数据总线反相使能信号,通过将来自存储器单元的数据相加来生成位线的初步标志信号。标志生成电路可以基于复制数据输出使能信号和数据总线反相使能信号来驱动。标志生成电路可以被配置为从用于每个位线的初步标志信号中生成用于每个位线的标志信号,用于每个位线的标志信号包括复制数据标志信号和数据总线反相标志信号之中的至少一个。
在一个实施例中,可以提供一种输出半导体存储器件中的数据的方法。所述半导体存储器件可以包括存储器电路,所述存储器电路包括耦接在多个字线和多个位线之间的多个存储器单元。存储器电路可以被配置为经由全局输入/输出线来输出耦接至每个位线的存储器单元中的数据。位线的标志信号可以基于经由全局输入/输出线提供的、位线的存储器单元的数据之中具有特定逻辑电平的数据的数目来产生。标志信号可以包括复制数据标志信号和数据总线反相标志信号之中的至少一个。经由全局输入/输出线提供的、存储器单元中的数据可以基于复制数据标志信号和数据总线反相标志信号来输出。
附图说明
图1是示出了根据实施例的各种示例的半导体存储器件的框图。
图2A、图2B、图3A和图3B是示出了根据实施例的各种示例的用于输出复制数据的功能的框图。
图4是示出了根据实施例的各个示例的标志生成电路的框图。
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