[发明专利]一种柔性阵列基板的制作方法及柔性阵列基板

权利要求书

1.一种柔性阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一基板；

在所述基板上沉积第一石墨烯层，对所述第一石墨烯层进行图案化处理，形成栅极、扫描线；

在所述基板、栅极、扫描线上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上沉积金属氧化物半导体层，对所述金属氧化物半导体层进行图案化处理，形成导电沟道；

在所述导电沟道、第一绝缘层上沉积第二石墨烯层，对所述第二石墨烯层进行图案化处理，形成源极、漏极、数据线，其中，所述导电沟道与所述源极、所述漏极相连接；

在所述基板、源极、漏极、数据线上形成第二绝缘层；以及

在所述第二绝缘层上沉积碳纳米管层，对所述碳纳米管层进行图案化处理，形成像素电极，所述像素电极通过通孔与所述漏极相连接。

2.根据权利要求1所述的柔性阵列基板的制作方法，其特征在于，所述基板为透明玻璃基板或塑料基板。

3.根据权利要求1或2所述的柔性阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘层包括第三绝缘层以及位于所述第三绝缘层上的第四绝缘层，其中，所述第三绝缘层采用的材料为有机树脂，所述第四绝缘层采用的材料为氧化物、氮化物或氮氧化合物。

4.根据权利要求3所述的柔性阵列基板的制作方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体层的厚度介于50埃-2000埃之间。

5.根据权利要求1或2所述的柔性阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二绝缘层的材料为有机树脂。

6.根据权利要求5所述的柔性阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度介于4000埃-30000埃之间。

7.根据权利要求1或2所述的柔性阵列基板的制作方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体层为非晶铟镓锌氧化物。

8.根据权利要求1或2所述的柔性阵列基板的制作方法，其特征在于，可通过化学气相沉积法或旋涂法沉积所述第一石墨烯层和所述第二石墨烯层。

9.一种柔性阵列基板，其特征在于，包括：基板、设置在所述基板上的栅极和扫描线、设置在所述栅极和扫描线上的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的导电沟道、设置在所述导电沟道上的源极、漏极和数据线、设置在所述源极、漏极和数据线上的第二绝缘层、及设置在所述第二绝缘层上的像素电极，且所述导电沟道与所述源极、所述漏极连接，所述像素电极通过通孔与所述漏极相连接；其中，

所述栅极和扫描线经第一石墨烯层图案化处理后形成；所述导电沟道经金属氧化物半导体层图案化处理形成；所述源极、漏极和数据线经第二石墨烯层图案化处理形成；所述像素电极经碳纳米管层图案化处理形成。