[发明专利]一种柔性阵列基板的制作方法及柔性阵列基板在审
申请号: | 201711173799.4 | 申请日: | 2017-11-22 |
公开(公告)号: | CN108010879A | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 刘翔 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 阵列 制作方法 | ||
本发明提供一种柔性阵列基板的制作方法及柔性阵列基板,其包括:在基板上沉积第一石墨烯层,并进行图案化处理,形成栅极、扫描线;在基板、栅极、扫描线上形成第一绝缘层;在第一绝缘层上沉积金属氧化物半导体层,并进行图案化处理,形成导电沟道;在导电沟道、第一绝缘层上沉积第二石墨烯层,并进行图案化处理,形成源极、漏极、数据线;在基板、源极、漏极、数据线上形成第二绝缘层;以及在第二绝缘层上沉积碳纳米管层,并进行图案化处理,形成像素电极。本发明的柔性阵列基板的制作方法及柔性阵列基板,有效减弱了图像信号的延迟,提高显示质量;且采用金属氧化物半导体制成导电沟道,使其具有良好的透光性和柔性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种柔性阵列基板的制作方法及柔性阵列基板。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点,在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。TFT-LCD一般包括背光源、上下偏光片、液晶盒、驱动与控制IC等部分,其中,核心部件是液晶盒。液晶盒一般采用阵列基板与彩膜基板对盒后灌入液晶(Liquid Crystal,LC)制成。
然而,随着TFT-LCD的飞速发展,TFT-LCD的尺寸不断增大、分辨率不断提高,进而造成图像信号的延迟越来越严重。图像信号的延迟主要由T=RC决定,其中R为信号电阻,C为相关电容,R一般与栅极、扫描线、数据线等阵列配线的材料有关;现有的阵列基板的制作方法中,一般采用化学性质稳定、电阻率高的金属材料制成栅极、扫描线、数据线等阵列配线,且随着TFT-LCD的飞速发展,TFT-LCD的尺寸不断增大、分辨率不断提高,从而使得图像信号的延迟更加严重。另外,随着人们对显示技术需求的不断提高,未来的显示装置向柔性、透明方向发展,但是现有的用于形成栅极、扫描线、数据线等阵列配线的材料具有不可透光性、且在弯曲时性能恶化,不能满足透明、柔性器件的需求。
故,有必要提供一种柔性阵列基板的制作方法,以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种柔性阵列基板的制作方法,能有效减弱图像信号的延迟,进而提高显示质量,并且具有良好的透光性和柔性。
本发明提高一种柔性阵列基板的制作方法,所述制备方法包括:
提供一基板;
在所述基板上沉积第一石墨烯层,对所述第一石墨烯层进行图案化处理,形成栅极、扫描线;
在所述基板、栅极、扫描线上形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上沉积金属氧化物半导体层,对所述金属氧化物半导体层进行图案化处理,形成导电沟道;
在所述导电沟道、第一绝缘层上沉积第二石墨烯层,对所述第二石墨烯层进行图案化处理,形成源极、漏极、数据线,其中,所述导电沟道与所述源极、所述漏极相连接;
在所述基板、源极、漏极、数据线上形成第二绝缘层;以及
在所述第二绝缘层上沉积碳纳米管层,对所述碳纳米管层进行图案化处理,形成像素电极,所述像素电极通过通孔与所述漏极相连接。
在本发明的柔性阵列基板的制作方法中,所述基板为透明玻璃基板或塑料基板。
在本发明的柔性阵列基板的制作方法中,所述第一绝缘层包括第三绝缘层以及位于所述第三绝缘层上的第四绝缘层,其中,所述第三绝缘层采用的材料为有机树脂,所述第四绝缘层采用的材料为氧化物、氮化物或氮氧化合物。
在本发明的柔性阵列基板的制作方法中,所述金属氧化物半导体层的厚度介于50埃-2000埃之间。
在本发明的柔性阵列基板的制作方法中,所述第二绝缘层的材料为有机树脂。
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