[发明专利]具有静电放电保护的集成电路装置在审
| 申请号： | 201711174413.1 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109585438A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 彭柏霖;李介文;竹立炜;张伊锋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 漏极扩散区 源极扩散区 导电嵌体 漏极 集成电路装置 静电放电保护 导电类型 电连接 衬底 植入 第一导电类型 输入/输出 电压端子 漏极区 源极区 接垫 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有静电放电保护的集成电路装置，其特征在于，包括：
衬底；
阱，具有第一导电类型且形成在所述衬底上；
漏极区，包括至少一个漏极扩散区及至少一个漏极导电嵌体，所述至少一个漏极扩散区具有第二导电类型且植入在所述阱中，所述至少一个漏极导电嵌体位于所述阱上，所述漏极导电嵌体电连接到所述漏极扩散区及输入/输出接垫；以及
源极区，包括多个源极扩散区，所述多个源极扩散区具有所述第二导电类型且植入在所述阱中，所述源极扩散区电连接到电压端子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
