[发明专利]一种异质结双极晶体管器件中基极基座的返工制作方法在审
| 申请号： | 201711175805.X | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107958926A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 谢骞 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/331;H01L29/737 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰,张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 双极晶体管 器件 基极 基座 返工 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种异质结双极晶体管器件中基极基座的返工制作方法，其特征在于，在基极基座上进行返工程序，包括以下内容：
101、采用单层光罩，重新光刻制作出掩膜图形，形成返工BP光阻，开始返工程序；
102、进行InGaP侧壁补湿法蚀刻及氮化硅侧壁补干法蚀刻，去除侧壁残留；
103、去除返工BP光阻，结束返工程序。
2.根据权利要求1所述一种异质结双极晶体管器件中基极基座的返工制作方法，其特征在于，所述步骤101中，返工BP光阻的关键尺寸小于基极基座的GaAs基座层的关键尺寸。
3.根据权利要求1所述一种异质结双极晶体管器件中基极基座的返工制作方法，其特征在于，所述步骤102的具体步骤如下：
先对InGaP边缘侧壁湿法蚀刻出InGaP台面，再对氮化硅边缘侧壁干法蚀刻出SiN台面。
4.根据权利要求3所述一种异质结双极晶体管器件中基极基座的返工制作方法，其特征在于，采用浓盐酸对InGaP边缘侧壁湿法蚀刻出InGaP台面。
5.根据权利要求3所述一种异质结双极晶体管器件中基极基座的返工制作方法，其特征在于，采用六氟化硫和氧气对氮化硅边缘侧壁干法蚀刻出SiN台面。
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