[发明专利]一种异质结双极晶体管器件中基极基座的返工制作方法

说明书

本发明涉及一种异质结双极晶体管器件中基极基座的返工制作方法，其特征在于，在基极基座上进行返工程序，包括以下内容：101、采用BP光罩，重新光刻制作出掩膜图形，形成返工BP光阻，开始返工程序；102、进行InGaP侧壁补湿法蚀刻及SiN Nitride侧壁补干法蚀刻，去除侧壁残留；103、去除返工BP光阻，结束返工程序。本发明通过在基极基座上再次使用单层光罩(BP Mask)返工蚀刻工艺，可以快捷去除侧边突出下层GaAs的SiN Nitride及InGap层残留，及时对产品进行补救，避免原工艺流程中返工步骤重复性的原材料浪费问题，且不会影响产品性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺技术领域，特别是涉及一种异质结双极晶体管器件中基极基座的制作过程中出现工艺残留问题后返工制作的方法。

背景技术

基极基座是异质结双极晶体管器件中介于集极(Collector)与基极(Base)两极的斜坡，其电性影响为BVceo及BVcbo。

目前，基极基座使用双层光罩(BR，BP Mask)蚀刻工艺流程及单层光罩(BP Mask)蚀刻工艺方法，双层光罩(BR，BP Mask)蚀刻工艺流程依次为Emitter Mesa流程、CollectorMetal流程、氮化硅沉积、双层光罩1(BR Mask)光刻流程、氮化硅刻蚀、InGaP蚀刻、去除BR光阻、双层光罩2(BPMask)光刻流程、主GaAs蚀刻、去除BP光阻，单层光罩(BP Mask)蚀刻工艺方法依次为EmitterMesa流程、Collector Metal流程、氮化硅沉积、单层光罩(BP Mask)光刻流程、氮化硅刻蚀、InGaP蚀刻、主GaAs蚀刻、去除BP光阻。

其中，因主GaAs湿刻蚀时蚀刻率不稳及工艺窗口较小造成基极基座成品侧边的氮化硅(SiN Nitride)及InGaP层突出，CD(关键尺寸)超过下层GaAs，裸露出来的InGaP和SiN边缘CD过大，容易导致后续蒸镀工艺中金线在BP斜坡上断线，造成其电性可靠度及目检不过关。因此，在出现该工艺异常后，需要采取及时有效的返工方案进行补救。

发明内容

本发明的目的在于提供一种异质结双极晶体管器件中基极基座的返工制作方法，用于去除异质结双极晶体管基极基座刻蚀工艺产生的氮化硅及InGaP层残留问题，以返工出异质结双极晶体管基极基座。

为了实现上述目的，本发明提供了以下技术方案：

本发明提供一种异质结双极晶体管器件中基极基座的返工制作方法，在基极基座上进行返工程序，包括以下内容：

101、采用BP光罩，重新光刻制作出掩膜图形，形成返工BP光阻，开始返工程序；

102、进行InGaP侧壁补湿法蚀刻及SiNNitride侧壁补干法蚀刻，以去除侧壁残留：先对InGaP边缘侧壁湿法蚀刻出InGaP台面，再对SiNNitride边缘侧壁干法蚀刻出SiN台面；

103、去除返工BP光阻，结束返工程序。

其中，返工BP光阻的关键尺寸小于基极基座的GaAs基座层的关键尺寸。

进一步地，采用浓盐酸对InGaP边缘侧壁湿法蚀刻出InGaP台面。

又进一步地，采用六氟化硫和氧气对SiNNitride边缘侧壁干法蚀刻出SiN台面。

在上述单层光罩(BP Mask)返工蚀刻工艺中，光刻的关键尺寸比原先未返工时光刻的关键尺寸小，用于去除侧边突出下层GaAs的氮化硅(SiNNitride)及InGap层残留。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：