[发明专利]一种TFT阵列基板、制作方法以及液晶显示面板在审
申请号: | 201711175833.1 | 申请日: | 2017-11-22 |
公开(公告)号: | CN108008582A | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 陈仲仁;蔡在秉;李彦泽;伍池林;吴智坤;许俊安 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1339 | 分类号: | G02F1/1339;G02F1/1362;G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅;熊贤卿 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 tft 阵列 制作方法 以及 液晶显示 面板 | ||
1.一种TFT阵列基板,其特征在于,在所述TFT阵列基板上至少设置有衬底基板、薄膜晶体管层,以及位于所述薄膜晶体管层上的钝化层及像素电极层,在所述钝化层上形成有至少一个过孔;在所述过孔中设置有支撑物,且所述支撑物具有同一水平面用于支撑与所述TFT阵列基板对盒的CF基板的下表面。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述TFT阵列基板包括:
所述衬底基板;
薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层上形成多个薄膜晶体管单元,每一薄膜晶体管层单元分别包括:一栅极、一栅极绝缘层、一有源层、一源极及一漏极;
钝化层,设置于所述薄膜晶体管层上,具有至少一个过孔,其中一个过孔显露所述薄膜晶体管单元源极;
一像素电极,设置于所述钝化层上且向所述过孔延伸,以与所述源极电性连接;
一配向层,覆盖所述钝化层以及像素电极。
3.如权利要求2所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述至少一个过孔包括设置于所述薄膜晶体管的沟道之上的第一过孔,以及设置所述源极之上的第二过孔,在所述第二过孔中,所述像素电极层与所述源极电连接。
4.如权利要求3所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述支撑物为柱状,其采用与所述钝化层相同的材料制成。
5.如权利要求1至4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极的厚度小于300A,所述钝化层106的厚度处于1000A~2000A之间。
6.一种液晶显示面板,其包括相对设置的TFT阵列基板、CF基板以及在所述TFT阵列基板和CF基板中间的液晶层,其特征在于:
在所述TFT阵列基板上至少设置有衬底基板、薄膜晶体管层,以及位于所述薄膜晶体管层上的钝化层及像素电极层,在所述钝化层上形成有至少一个过孔;在所述过孔中设置有支撑物,且所述支撑物具有同一水平面用于支撑所述CF基板的下表面。
7.如权利要求6所述的一种液晶显示面板,其特征在于,所述TFT阵列基板包括:
所述衬底基板;
薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层上形成多个薄膜晶体管单元,每一薄膜晶体管层单元分别包括:一栅极、一栅极绝缘层、一有源层、一源极及一漏极;
钝化层,设置于所述薄膜晶体管层上,具有至少一个过孔,其中一个过孔显露所述薄膜晶体管单元源极;
一像素电极,设置于所述钝化层上且向所述过孔延伸,以与所述源极电性连接;
一配向层,覆盖所述钝化层以及像素电极。
8.如权利要求7所述的一种液晶显示面板,其特征在于,所述至少一个过孔包括设置于所述薄膜晶体管的沟道之上的第一过孔,以及设置所述源极之上的第二过孔,在所述第二过孔中,所述像素电极层与所述源极电连接。
9.一种TFT阵列基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
在TFT阵列基板的衬底基板形成薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层上形成多个薄膜晶体管单元,每一薄膜晶体管层单元分别包括:一栅极、一栅极绝缘层、一有源层、一源极及一漏极;
在所述薄膜晶体管层上形成钝化层,在所述纯化层上形成至少一个过孔,其中一个过孔显露所述薄膜晶体管单元源极;
在所述钝化层上形成一像素电极,所述像素电极向所述过孔延伸,并与所述源极电性连接;
在所述至少一个过孔中设置有支撑物,且所述支撑物上端具有同一水平面用于支撑与所述TFT阵列基板对盒的CF基板的下表面;
在所述钝化层以及像素电极上制作配向层。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,在所述纯化层上形成至少一个过孔的步骤具体包括:
在所述纯化层上形成形成设置于所述薄膜晶体管的沟道之上的第一过孔,以及形成设置所述源极之上的第二过孔,在所述第二过孔中,所述像素电极层与所述源极电连接。
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