[发明专利]一种TFT阵列基板、制作方法以及液晶显示面板

说明书

本发明实施例公开了一种TFT阵列基板，其特征在于，在所述TFT阵列基板上至少设置有衬底基板、薄膜晶体管层，以及位于所述薄膜晶体管层上的钝化层及像素电极层，在所述钝化层上形成有至少一个过孔；在所述过孔中设置有支撑物，且所述支撑物具有同一水平面用于支撑与所述TFT阵列基板对盒的CF基板的下表面。本发明还公开了相应的制作方法及液晶显示面板。实施本发明实施例，可以减小TFT阵列基板表面过孔的高度差，提高配向膜厚度均匀性，以及平整度，以提高液晶显示面板的显示效果。

技术领域

本发明涉及显示领域，特别涉及一种TFT阵列基板、制作方法以及液晶显示面板。

背景技术

由于液晶显示器（ Liquid Crystal Display，LCD ）具有工艺成熟，成本较低，可以实现高像素密度（Pixels Per Inch，PPI）及窄边框的优点，具有极大的市场竞争优势。

在现有的TFT-LCD 制程中， 配向膜PI（Polyimine，聚酰亚胺）制程主要为在TFT阵列基板一侧使用PI液涂布工程，使得液晶分子能沿特定方向取向排列，例如可以采用滴落（drop）以及狭缝式涂布（Slit Coating）等涂布方式进行PI液的涂布。

如图1所示，示出了现有的一种液晶显示装置的TFT阵列基板的示意图；从中可以看出，PI膜层18’设置于钝化层16’上，由于在钝化层16’上设置有过孔14’，故其表面存在较大的设计高度差；而因为这些高度差，故使在涂布PI液形成PI膜层时，会产生涂布不均的现象，如在过孔14’处，PI膜层的厚度与其他地方的厚度存在不同，且不够平坦。这样进而会引发TFT-LCD 显示面板的点灯画面不均匀状况出现。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种TFT阵列基板、制作方法以及液晶显示面板，可以减小TFT阵列基板表面过孔的高度差，提高配向膜厚度均匀性，以及平整度，以提高液晶显示面板的显示效果。

为了解决上述技术问题，本发明的实施例的一方面提供一种TFT阵列基板，其特征在于，在所述TFT阵列基板上至少设置有衬底基板、薄膜晶体管层，以及位于所述薄膜晶体管层上的钝化层及像素电极层，在所述钝化层上形成有至少一个过孔；在所述过孔中设置有支撑物，且所述支撑物具有同一水平面用于支撑与所述TFT阵列基板对盒的CF基板的下表面。

其中，所述TFT阵列基板包括：

所述衬底基板；

薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层上形成多个薄膜晶体管单元，每一薄膜晶体管层单元分别包括：一栅极、一栅极绝缘层、一有源层、一源极及一漏极；

钝化层，设置于所述薄膜晶体管层上，具有至少一个过孔，其中一个过孔显露所述薄膜晶体管单元源极；

一像素电极，设置于所述钝化层上且向所述过孔延伸，以与所述源极电性连接；

一配向层，覆盖所述钝化层以及像素电极。

其中，所述至少一个过孔包括设置于所述薄膜晶体管的沟道之上的第一过孔，以及设置所述源极之上的第二过孔，在所述第二过孔中，所述像素电极层与所述源极电连接。

其中，所述支撑物为柱状，其采用与所述钝化层相同的材料制成。

其中，所述像素电极的厚度小于300A，所述钝化层106的厚度处于1000A~2000A之间。

相应地，本发明还提供一种液晶显示面板，其包括相对设置的TFT阵列基板、CF基板以及在所述TFT阵列基板和CF基板中间的液晶层，其中：

在所述TFT阵列基板上至少设置有衬底基板、薄膜晶体管层，以及位于所述薄膜晶体管层上的钝化层及像素电极层，在所述钝化层上形成有至少一个过孔；在所述过孔中设置有支撑物，且所述支撑物具有同一水平面用于支撑所述CF基板的下表面。