[发明专利]一种弧度破断强度测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及芯片封装行业，具体涉及金丝/铜丝键合丝弧度强度的测试方法。

背景技术

目前超过90%的集成电路的封装是采用引线键合技术。引线键合（wirebonding）又称线焊，即用金属细丝将裸芯片电极焊区与电子封装外壳的输入/输出引线或基板上的金属布线焊区连接起来。连接过程一般通过加热﹑加压﹑超声等能量借助键合工具（劈刀）实现。按外加能量形式的不同，引线键合可分为热压键合﹑超声键合和热超声键合。按劈刀的不同，可分为楔形键合（wedgebonding）和球形键合(ballbonding）。目前金丝球形热超声键合是最普遍采用的引线键合技术。

由于金丝价格昂贵﹑成本高，并且Au/Al金属学系统易产生有害的金属间化合物，使键合处产生空腔，电阻急剧增大，导电性破坏甚至产生裂缝，严重影响接头性能。因此人们一直尝试使用其它金属替代金。由于铜丝价格便宜，成本低，具有较高的导电导热性，并且金属间化合物生长速率低于Au/Al，不易形成有害的金属间化合物。近年来，铜丝引线键合日益引起人们的兴趣。

在键合技术中，键合的质量直接影响到元器件的性能以及封装的成品率。键合强度是判定键合质量的重要指标之一，所以对键合强度进行客观准确的测量是十分重要的。

发明内容

本发明的目的是提供一种弧度破断强度测试方法，以弥补现有测试过程中的不足。

为了达到上述目的，本发明提供了一种弧度破断强度测试方法，步骤如下：

步骤1、取键合好的芯片固定于拉线测试台上；

步骤2、调整拉线测试钩，并将机器启动进入待测试状态；

步骤3、启动拉线测试仪，均匀加载拉力，直至键合丝断裂；

步骤4、拉线测试后，在10-40倍显微镜下进行自视检查，并记录拉线测试后芯片状态。

优选的，上述步骤1中，键合好的芯片为金线/铜线键合芯片。

优选的，上述步骤2中，拉线测试钩放置于键合丝弧度中心或离键合球⅓键合丝处。

优选的，上述步骤3中，拉力强度参数如下：

1）键合丝丝径0.7mil（18μm），F_金丝＞2.5g，F_铜丝＞3g；

2）键合丝丝径0.8mil（20μm），F_金丝＞3g，F_铜丝＞4g；

3）键合丝丝径0.9mil（23μm），F_金丝＞3g，F_铜丝＞6g；

4）键合丝丝径1.0mil（25μm），F_金丝＞3.5g，F_铜丝＞6g；

5）键合丝丝径1.1mil（28μm），F_金丝＞4g，F_铜丝＞8g；

6）键合丝丝径1.2mil（30μm），F_金丝＞6g，F_铜丝＞8g；

7）键合丝丝径1.3mil（33μm），F_金丝＞6g，F_铜丝＞10g；

8）键合丝丝径1.5mil（38μm），F_金丝＞7g，F_铜丝＞15g；

9）键合丝丝径2.0mil（50μm），F_金丝＞12g，F_铜丝＞25g；

本发明的一种弧度破断强度测试方法，用于针对芯片键合中金丝/铜丝键合丝弧度破断强度测试工序。本发明的有益效果是：根据芯片键合过程中选用不同规格的丝径的键合金丝/铜丝，分别来确定芯片键合强度的测试标准，以此来明确芯片的键合牢固程度，便于操作。

附图说明

图1为本发明的弧度破断强度测试示意图；

其中，1为芯片；2为键合丝；3为拉线测试钩。

具体实施方式

如图1所示，本发明主要用于针对芯片键合中金丝/铜丝键合丝弧度破断强度测试工序，提供了一种弧度破断强度测试方法，具体步骤如下：

步骤1、取键合好的金线/铜线键合芯片1固定于拉线测试台上；

步骤2、调整拉线测试钩3，将拉线测试钩3放置于键合丝2弧度中心或离键合球⅓键合丝2处并将机器启动进入待测试状态；

步骤3、启动拉线测试仪，均匀加载拉力，直至键合丝2断裂；

步骤4、拉线测试后，在10-40倍显微镜下进行自视检查，并记录拉线测试后芯片状态。