[发明专利]一种H桥的检测系统及检测方法

权利要求书

1.一种H桥的检测系统，所述H桥的检测系统包括第一H桥和第二H桥，所述第一H桥、第二H桥均用于驱动电机，所述第一H桥、第二H桥与电机连接；其特征在于，

所述H桥的检测系统还包括脉冲产生电路、第一采样电阻、第二采样电阻和电位比较电路；所述脉冲产生电路的输出端与第一H桥的电源负极端连接，用于输出瞬时脉冲到第一H桥的电源负极端；所述第一H桥的电源负极端通过第一采样电阻接地，所述第二H桥的电源负极端通过第二采样电阻接地；所述第一采样电阻的非接地端、第二采样电阻的非接地端与电位比较电路的输入端连接；所述电位比较电路用于当瞬时脉冲输入到第一H桥的电源负极端时，检测第一H桥的电源负极端和第二H桥的电源负极端的电位是否一致，以判断第一H桥和第二H桥的连接状态。

2.根据权利要求1所述的H桥的检测系统，其特征在于，所述第一H桥包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，所述第一NMOS管的漏极、第二NMOS管的漏极作为第一H桥的电源正极端与电源正极连接，所述第一NMOS管的源极与第三NMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的源极与第四NMOS管的漏极连接，所述第三NMOS管的源极、第四NMOS管的源极作为第一H桥的电源负极端。

3.根据权利要求1所述的H桥的检测系统，其特征在于，所述第二H桥包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管，所述第五NMOS管的漏极、第六NMOS管的漏极作为第二H桥的电源正极端与电源正极连接，所述第五NMOS管的源极与第七NMOS管的漏极连接，所述第六NMOS管的源极与第八NMOS管的漏极连接，所述第七NMOS管的源极、第八NMOS管的源极作为第二H桥的电源负极端。

4.根据权利要求1至3任一项所述的H桥的检测系统，其特征在于，所述电位比较电路包括电位比较器，所述第一采样电阻的非接地端、第二采样电阻的非接地端与电位比较器的输入端连接。

5.根据权利要求4所述的H桥的检测系统，其特征在于，所述电位比较电路还包括单片机和检测结果提示单元，所述电位比较器的输出端与单片机的输入端连接，所述单片机的输出端与检测结果提示单元的输入端连接。

6.根据权利要求5所述的H桥的检测系统，其特征在于，所述检测结果提示单元为指示灯和/或语音输出单元和/或显示单元。

7.根据权利要求4所述的H桥的检测系统，其特征在于，所述第一H桥的电源负极端和第二H桥的电源负极端的电位相等时，所述电位比较器输出高电平信号，所述第一H桥和第二H桥是并联应用；所述第一H桥的电源负极端和第二H桥的电源负极端的电位不相等时，所述电位比较器输出低电平信号，所述第一H桥和第二H桥非并联应用。

8.一种H桥的检测方法，其特征在于，应用于权利要求1至7任一项所述的H桥的检测系统，包括以下步骤，

利用脉冲产生电路产生瞬时脉冲并输入第一H桥的电源负极端；

当所述瞬时脉冲输入到第一H桥的电源负极端时，利用电位比较电路检测第一H桥的电源负极端和第二H桥的电源负极端的电位是否一致，以判断第一H桥和第二H桥的连接状态。

9.根据权利要求8所述的H桥的检测方法，其特征在于，所述第一H桥的电源负极端和第二H桥的电源负极端的电位相等时，所述电位比较电路输出高电平信号，所述第一H桥和第二H桥是并联应用；所述第一H桥的电源负极端和第二H桥的电源负极端的电位不相等时，所述电位比较电路输出低电平信号，所述第一H桥和第二H桥非并联应用。

10.根据权利要求8或9所述的H桥的检测方法，其特征在于，所述H桥的检测方法还包括步骤：

输出判断结果。