[发明专利]一种H桥的检测系统及检测方法

说明书

本发明公开了一种H桥的检测系统及方法。本发明提供一种H桥的检测系统及检测方法，H桥的检测系统包括脉冲产生电路、第一采样电阻、第二采样电阻和电位比较电路，电路结构简单且可以实现H桥的连接状态检测；脉冲产生电路产生脉冲输入第一H桥的电源负极端后，通过电位比较电路检测第一H桥的电源负极端和第二H桥的电源负极端的电位是否一致，以判断第一H桥和第二H桥的连接状态，H桥的连接状态检测方法快捷方便，且检测结果精确。

技术领域

本发明涉及电机驱动领域，尤其是涉及一种H桥的检测系统及检测方法。

背景技术

在电机驱动中，驱动芯片内部采用H桥对电机进行驱动，驱动一个步进电机需要两个H桥，驱动一个直流有刷电机需要一个H桥。现在为了加大H桥对电机的驱动能力，将两个H桥并联后用来驱动同一个电机，从而增大驱动电流，加大对电机的驱动能力，在这种情况下，由于信号传输路径不同而产生延迟，会导致两个H桥发生串通现象，使得两个H桥没有有效并联起来，无法实现H桥的正常并联应用，因此需要检测两个H桥是否并联，并根据检测到的是否并联的结果做进一步的处理。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种H桥的检测系统及检测方法，用于检测两个H桥是否为并联应用。

本发明所采用的技术方案是：一种H桥的检测系统，所述H桥的检测系统包括第一H桥、第二H桥、脉冲产生电路、第一采样电阻、第二采样电阻和电位比较电路，所述第一H桥、第二H桥均用于驱动电机，是待检测是否并联的两个H桥，所述第一H桥、第二H桥与电机连接；所述脉冲产生电路的输出端与第一H桥的电源负极端连接，用于输出瞬时脉冲到第一H桥的电源负极端；所述第一H桥的电源负极端通过第一采样电阻接地，所述第二H桥的电源负极端通过第二采样电阻接地；所述第一采样电阻的非接地端(即第一H桥的电源负极端)、第二采样电阻的非接地端(即第二H桥的电源负极端)与电位比较电路的输入端连接；所述电位比较电路用于当瞬时脉冲输入到第一H桥的电源负极端时，检测第一H桥的电源负极端和第二H桥的电源负极端的电位是否一致，以判断第一H桥和第二H桥的连接状态。

进一步地，所述第一H桥包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，所述第一NMOS管的漏极、第二NMOS管的漏极作为第一H桥的电源正极端与电源正极连接，所述第一NMOS管的源极与第三NMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的源极与第四NMOS管的漏极连接，所述第三NMOS管的源极、第四NMOS管的源极作为第一H桥的电源负极端。

进一步地，所述第二H桥包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管，所述第五NMOS管的漏极、第六NMOS管的漏极作为第二H桥的电源正极端与电源正极连接，所述第五NMOS管的源极与第七NMOS管的漏极连接，所述第六NMOS管的源极与第八NMOS管的漏极连接，所述第七NMOS管的源极、第八NMOS管的源极作为第二H桥的电源负极端。

进一步地，所述电位比较电路包括电位比较器，所述第一采样电阻的非接地端、第二采样电阻的非接地端与电位比较器的输入端连接。

进一步地，所述第一H桥的电源负极端和第二H桥的电源负极端的电位相等时，所述电位比较器输出高电平信号，所述第一H桥和第二H桥是并联应用；所述第一H桥的电源负极端和第二H桥的电源负极端的电位不相等时，所述电位比较器输出低电平信号，所述第一H桥和第二H桥非并联应用。

进一步地，所述电位比较电路还包括单片机和检测结果提示单元，所述电位比较器的输出端与单片机的输入端连接，所述单片机的输出端与检测结果提示单元的输入端连接。

进一步地，所述检测结果提示单元为指示灯和/或语音输出单元和/或显示单元。

本发明所采用的另一技术方案是：一种H桥的检测方法，应用于所述的H桥的检测系统，包括以下步骤，

利用脉冲产生电路产生瞬时脉冲并输入第一H桥的电源负极端；