[发明专利]溴化钾晶片的抛光方法

说明书

技术领域

本发明涉及光谱测量辅助领域，尤其涉及红外光谱测试有机液体红外光谱作为窗片材料使用的溴化钾晶片的抛光方法。

背景技术

我们这里所说的溴化钾是指具有较低红外吸收系数的单晶。在ＫＢｒ原料中，适量添加ＫＢｒ３，可利用ＫＢｒ３在热分解过程中产生的游离溴去除ＫＢｒ原料中的含氧基团，纯化原料。用提拉法在大气环境中也能生长出低吸收系数的大尺寸优质ＫＢｒ单晶。采用提拉法生长KBr单晶 ,设计合理的温场 ,探索最佳的生长工艺条件 ,可以生长出了具有高透过、低吸收和光学均匀性高的Φ1 2 0× 1 2 0mm大尺寸的单晶 ,同时还应该知道影响其光学性能的各种因素 ,以及提高透过、消除吸收峰的各种方法。其红外吸收系数在１×１０ˉｃｍˉ¹数量级。最高级ＫＢｒ单晶透过波段宽(03～34ｕｍ),本征吸收系数β106μｍ≈20×10-7/ｃｍˉ¹比用普通方法生长的ＫＢｒ单晶的吸收系数降低２个数量级。这些都必须通过高压釜经过连续保温才能生长出合格的溴化钾单晶。

溴化钾是最常用的窗片材料。溴化钾晶片硬度小，易加工，价格便宜。随着溴化钾晶片使用次数的增多，晶片表面划痕越来越多。溴化钾晶片表面越容易被有机物污染。如果测试的有机液体含有少量的水，水会溶解晶片表面的溴化钾，使晶片表面下凹，导致以后测试时液膜中出现气泡或液膜厚度不易掌握。当出现以上情况时，应将溴化钾晶片抛光。

现有的抛光方法有用抛光机抛光，或用抛光附件抛光。但无论哪种方法都无法有效抛光晶片表面，抛光精度差，导致红外波段的透过率较低，且对溴化钾晶片表面损伤较大。

发明内容

本发明要解决的技术问题是现有的溴化钾晶片抛光方法无法实现有效抛光，影响红外波段的透过率，且会损伤晶片表面，为此提供一种溴化钾晶片的抛光方法。

本发明的技术方案是：溴化钾晶片的抛光方法，它包括以下步骤：（1）、将溴化钾晶片置于密闭锥形容器内，将密闭锥形容器抽真空；（2）、将绝对酒精加热至50-60℃后放入密闭容器内，对密闭容器内充入干燥氮气，使其充满密闭容器；（3）、将密闭锥形容器放入离心机内进行离心10-20min，离心机转速为200-250r/min；（4）、打开密闭锥形容器，用滴管向密闭锥形容器内的溴化钾晶片表面滴加乙醚，再次封闭密闭锥形容器并放入离心机内进行离心6-10min，离心机转速为300-350r/min；（5）、取出密闭锥形容器内的溴化钾晶片，用干净绒布擦干溴化钾晶片表面。

本发明的有益效果是将溴化钾晶片置于真空环境中，利用加热后的绝对酒精的挥发性在氮气的压迫下附着在溴化钾晶片表面，在离心机的高速旋转下雾化的酒精均匀附着在溴化钾晶片表面，逐渐溶解气表面的有机物，再通入乙醚，在离心机的高速旋转下进行深程度的清洁，使其表面恢复光洁，最后取出擦干的溴化钾晶片即去除了表面的有机物和划痕，又最大程度的降低了被绝对酒精和乙醚溶解的量，延长溴化钾的使用寿命。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明做进一步说明。

实施例1：溴化钾晶片的抛光方法，它包括以下步骤：（1）、将溴化钾晶片置于密闭锥形容器内，将密闭锥形容器抽真空；（2）、将绝对酒精加热至50℃后放入密闭容器内，对密闭容器内充入干燥氮气，使其充满密闭容器；（3）、将密闭锥形容器放入离心机内进行离心10min，离心机转速为200r/min；（4）、打开密闭锥形容器，用滴管向密闭锥形容器内的溴化钾晶片表面滴加乙醚，再次封闭密闭锥形容器并放入离心机内进行离心6min，离心机转速为300r/min；（5）、取出密闭锥形容器内的溴化钾晶片，用干净绒布擦干溴化钾晶片表面。

实施例2：溴化钾晶片的抛光方法，它包括以下步骤：（1）、将溴化钾晶片置于密闭锥形容器内，将密闭锥形容器抽真空；（2）、将绝对酒精加热至55℃后放入密闭容器内，对密闭容器内充入干燥氮气，使其充满密闭容器；（3）、将密闭锥形容器放入离心机内进行离心15min，离心机转速为225r/min；（4）、打开密闭锥形容器，用滴管向密闭锥形容器内的溴化钾晶片表面滴加乙醚，再次封闭密闭锥形容器并放入离心机内进行离心8min，离心机转速为325r/min；（5）、取出密闭锥形容器内的溴化钾晶片，用干净绒布擦干溴化钾晶片表面。