[发明专利]半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201711182084.5 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN107946309A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 胡凯;李远;万先进;许爱春;唐浩 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件制造方法，其特征在于包括如下步骤：
形成下层钨互连线；
在所述下层钨互连线之上形成介质层；
在所述介质层中形成连接孔；
在所述连接孔中形成仅由TiN层形成的阻挡层，所述阻挡层覆盖所述连接孔的侧壁；
在所述连接孔中填充入钨连接孔材料，形成钨连接孔；
在所述介质层上形成上层钨互连线。
2.一种半导体器件互连的电性改良方法，其特征在于，采用如权利要求1所述的半导体器件制造方法，形成下层钨互连线和上层钨互连线之间的钨连接孔。
3.一种半导体器件，其特征在于，包括采用如权利要求1所述的半导体器件制造方法形成下层钨互连线和上层钨互连线之间的钨连接孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
