[发明专利]一种集成被动元件的芯片封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种集成被动元件的芯片封装结构，其特征在于，包括：

封装体(1)，内部封装有芯片(2)；所述芯片(2)的器件面与所述封装体(1)的第一表面位于同一平面；

被动元件层(3)，设置于所述封装体(1)的第二表面；

第一绝缘层(4)，设置于被动元件层(3)上；

导电柱(5)，设置于所述封装体(1)中，所述导电柱(5)的一端与所述被动元件层(3)相耦合，另一端与所述封装体(1)的第一表面位于同一平面；

重布线层(6)，设置于所述封装体(1)的第一表面，并与所述芯片(2)和所述导电柱(5)相耦合。

2.根据权利要求1所述的集成被动元件的芯片封装结构，其特征在于，所述被动元件层(3)包括：

第一金属层(31)，设置于所述封装体(1)的第二表面；

介电材料层(32)，设置于所述第一金属层(31)上；

第二金属层(33)，设置于所述介电材料层(32)上。

3.根据权利要求2所述的集成被动元件的芯片封装结构，其特征在于，所述第一金属层(31)包括一个或多个第一金属结构(310)，所述第一金属结构(310)设置于同一平面，所述第一金属结构(310)之间的间隙填充有绝缘材料。

4.根据权利要求3所述的集成被动元件的芯片封装结构，其特征在于，所述第二金属层(33)包括一个或多个第二金属结构(330)，所述第二金属结构(330)设置于同一平面，所述第二金属结构(330)之间的间隙填充有绝缘材料；

所述第二金属结构(330)与所述第一金属结构(310)对应设置。

5.根据权利要求2-4任一项所述的集成被动元件的芯片封装结构，其特征在于，还包括：

第三金属层(34)，设置于所述第二金属层(33)上；所述第三金属层(34)与所述第二金属层(33)相耦合；

所述第三金属层(34)包括一个或多个第三金属结构(340)，所述第三金属结构(340)设置于同一平面，所述第三金属结构(340)之间的间隙填充有绝缘材料；

金属互联层(35)，设置于所述第三金属层(34)上，用于连接多个所述第三金属结构(340)。

6.一种集成被动元件的芯片封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一基板(7)，并在所述基板(7)上形成粘贴层(8)；

将芯片(2)的器件面粘贴于所述粘贴层(8)上；

在所述粘贴层(8)上形成封装体(1)，包封住所述芯片(2)；

在所述封装体(1)的第二表面形成被动元件层(3)；

在所述被动元件层(3)上形成第一绝缘层(4)；

去除所述基板(7)和所述粘贴层(8)；

在所述封装体(1)中形成导电柱(5)，所述导电柱(5)的一端与所述被动元件层(3)相耦合，另一端与所述封装体(1)的第一表面位于同一平面；

在所述封装体(1)的第一表面形成重布线层(6)，所述重布线层(6)与所述芯片(2)和所述导电柱(5)相耦合。

7.根据权利要求6所述的集成被动元件的芯片封装方法，其特征在于，所述在所述封装体(1)的第二表面形成被动元件层(3)，包括如下步骤：

在所述封装体(1)的第二表面形成第一金属层(31)；

在所述第一金属层(31)上形成介电材料层(32)；

在所述介电材料层(32)上形成第二金属层(33)。

8.根据权利要求7所述的集成被动元件的芯片封装方法，其特征在于，所述第一金属层(31)包括一个或多个第一金属结构(310)，所述第一金属结构(310)设置于同一平面，所述第一金属结构(310)之间的间隙填充有绝缘材料；

所述第二金属层(33)包括一个或多个第二金属结构(330)，所述第二金属结构(330)设置于同一平面，所述第二金属结构(330)之间的间隙填充有绝缘材料；

所述第二金属结构(330)与所述第一金属结构(310)对应设置。