[发明专利]三维存储结构制作方法、存储结构、存储器及电子设备

权利要求书

1.一种三维存储结构制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上确定核心器件区和外围电路区；

在所述核心器件区形成三维存储器件，所述三维存储器件包括交替堆叠阶梯结构，在所述交替堆叠阶梯结构中形成的垂直通道孔；

全面形成第一隔离层，使得所述第一隔离层覆盖所述三维存储器件及外围电路区；

对所述第一隔离层进行全面平坦化，使平坦化后的所述第一隔离层在核心器件区的顶面与所述第一隔离层在外围电路区的顶面持平；

在所述第一隔离层覆盖所述三维存储器件的情况下，在所述外围电路区的第一隔离层之上形成外围电路。

2.根据权利要求1所述的三维存储结构制作方法，其特征在于，所述在所述外围电路区形成外围电路，包括：

在所述外围电路区形成绝缘体上硅；

在所述绝缘体上硅之上形成外围电路。

3.根据权利要求2所述的三维存储结构制作方法，其特征在于，所述第一隔离层为绝缘体层，所述在所述外围电路区形成绝缘体上硅，包括：

在所述外围电路区对应的所述第一隔离层中刻蚀出凹陷区；

在所述凹陷区中填充多晶硅，形成绝缘体上硅。

4.根据权利要求1所述的三维存储结构制作方法，其特征在于，在所述核心器件区形成三维存储器件之前，还包括：

在所述衬底上全面形成场氧化层；

去除所述核心器件区的场氧化层。

5.根据权利要求1所述的三维存储结构制作方法，其特征在于，在所述外围电路区形成外围电路之后，还包括：

全面形成第二隔离层；

对所述第二隔离层进行全面平坦化；

基于所述第二隔离层，形成所述外围电路与所述三维存储器件之间的金属连线。

6.一种三维存储结构，其特征在于，包括：衬底、三维存储器件、第一隔离层和外围电路；

所述衬底上设有核心器件区和外围电路区；

所述三维存储器件设于所述衬底的核心器件区；所述三维存储器件包括交替堆叠阶梯结构、在所述交替堆叠阶梯结构中形成的垂直通道孔；

所述第一隔离层设于所述三维存储器件及所述衬底的外围电路区之上，且覆盖所述三维存储器件及外围电路区，所述第一隔离层在核心器件区的顶面与所述第一隔离层在外围电路区的顶面持平；

所述外围电路设于所述外围电路区对应的第一隔离层上。

7.根据权利要求6所述的三维存储结构，其特征在于，所述外围电路区对应的第一隔离层上设有绝缘体上硅，所述外围电路设于所述绝缘体上硅之上。

8.根据权利要求7所述的三维存储结构，其特征在于，所述第一隔离层为绝缘体层，所述外围电路区对应的所述第一隔离层上设有凹陷区，所述凹陷区中填充有多晶硅，所述多晶硅构成绝缘体上硅。

9.一种三维存储器，其特征在于，所述三维存储器中设置有权利要求5至8任一项所述的三维存储结构。

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备中设置有权利要求9所述的三维存储器。