[发明专利]半导体存储装置及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括：

存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个单元串；

地址解码器，所述地址解码器通过字线联接至所述存储单元阵列，并且被配置为对用于针对所述存储单元阵列的操作的地址进行解码；

读写电路，所述读写电路被配置为对所述存储单元阵列执行读取操作或编程操作；

控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述地址解码器和所述读写电路对所述存储单元阵列执行所述读取操作或所述编程操作；以及

过驱动设置单元，所述过驱动设置单元被配置为利用施加至所述存储单元阵列的所述字线的操作电压来确定过驱动操作的过驱动设置参数，

其中，所述控制逻辑基于所述过驱动设置参数利用施加至所述字线的所述操作电压来控制所述过驱动操作。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述控制逻辑控制所述地址解码器在过驱动持续时间内基于所述过驱动设置参数来施加具有比目标电压电平大的过驱动电压电平的所述操作电压并且在所述过驱动持续时间之后施加具有所述目标电压电平的所述操作电压。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中，所述过驱动设置单元包括：

温度检测单元，所述温度检测单元被配置为检测所述半导体存储装置的温度以生成温度信息；

设置参数存储单元，所述设置参数存储单元被配置为利用所述操作电压来存储关于所述过驱动操作的多个设置参数；以及

设置参数确定单元，所述设置参数确定单元被配置为基于所述温度信息将存储在所述设置参数存储单元中的所述多个设置参数中的一个设置参数确定为所述操作电压的所述过驱动设置参数。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述设置参数确定单元基于所述温度信息来确定在所述过驱动操作期间施加的所述操作电压的所述过驱动电压电平。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中，所述设置参数确定单元在所述温度信息指示更高的温度时将具有更低的电平的电压值确定为所述过驱动电压电平。

6.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述设置参数确定单元基于所述温度信息来确定执行所述过驱动操作的所述过驱动持续时间。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中，所述设置参数确定单元在所述温度信息指示更高的温度时将更短的时间确定为所述过驱动持续时间。

8.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述操作电压包括在所述编程操作期间施加至所述字线的编程验证电压和在所述读取操作期间施加至所述字线的读取电压中的至少一个。

9.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中，所述操作电压是在所述编程操作期间施加至所述字线的编程验证电压，并且

所述过驱动设置单元包括：

编程状态检测单元，所述编程状态检测单元被配置为在所述编程操作期间检测编程状态；

设置参数存储单元，所述设置参数存储单元被配置为利用所述编程验证电压来存储用于所述过驱动操作的多个设置参数；以及

设置参数确定单元，所述设置参数确定单元被配置为基于所检测到的编程状态信息来将存储在所述设置参数存储单元中的所述多个设置参数中的一个设置参数确定为所述操作电压的所述过驱动设置参数。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中，所述存储单元阵列中的存储单元通过所选字线的所述编程操作被编程为具有擦除状态和第一编程状态至第k编程状态中的一种状态，并且

当完成了针对所述第一编程状态至所述第k编程状态当中的第i编程状态的编程操作时，所述设置参数确定单元改变针对第(i+1)编程状态至第k编程状态中的每一种编程状态的编程验证电压的过驱动设置参数，

其中，k为2或更大的自然数，并且i为大于1且小于k的自然数。