[发明专利]半导体存储装置及其操作方法

说明书

半导体存储装置及其操作方法。该半导体存储装置可以包括存储单元阵列。该半导体存储装置可以包括通过字线联接至所述存储单元阵列的外围电路。该半导体存储装置可以包括过驱动设置单元，所述过驱动设置单元被配置为利用施加至所述字线的操作电压来确定过驱动操作的过驱动设置参数。

技术领域

各种实施方式一般可以涉及电子装置，更具体地，可以涉及半导体存储装置及其操作方法。

背景技术

半导体存储装置是通过使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)这样的半导体来实现的存储装置。半导体存储装置分成易失性存储装置和非易失性存储装置。

当电源关闭时，易失性存储装置丢失所存储的数据。易失性存储装置的示例包括静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)。无论电源开/关条件如何，非易失性存储装置都保持所存储的数据。非易失性存储装置的示例包括只读存储器(ROM)、掩膜ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)。闪速存储器分为NOR型存储器和NAND型存储器。

发明内容

提供了一种半导体存储装置。该半导体存储装置可以包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个单元串。该半导体存储装置可以包括地址解码器，所述地址解码器通过字线联接至所述存储单元阵列，并且被配置为对用于针对所述存储单元阵列的操作的地址进行解码。该半导体存储装置可以包括读写电路，所述读写电路被配置为对所述存储单元阵列执行读取操作或编程操作。该半导体存储装置可以包括控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述地址解码器和所述读写电路对所述存储单元阵列执行读取操作或编程操作。该半导体存储装置可以包括过驱动设置单元，所述过驱动设置单元被配置为利用施加至所述存储单元阵列的所述字线的操作电压来确定过驱动操作的过驱动设置参数。所述控制逻辑可以基于所述过驱动设置参数而利用施加至所述字线的所述操作电压来控制所述过驱动操作。

提供了一种操作半导体存储装置的方法。所述操作半导体存储装置的方法可以包括接收用于操作所述半导体存储装置的操作命令。所述操作半导体存储装置的方法可以包括检测所述半导体存储装置的当前温度以生成温度信息。所述操作半导体存储装置的方法可以包括基于所述温度信息来确定与所述操作命令有关的操作电压的过驱动设置参数。所述操作半导体存储装置的方法可以包括基于所述过驱动设置参数来施加具有比目标电压电平大的过驱动电压电平的操作电压。所述操作半导体存储装置的方法可以包括通过减小所述过驱动电压电平来施加具有所述目标电压电平的所述操作电压。

提供了一种半导体存储装置。该半导体存储装置可以包括存储单元阵列。该半导体存储装置可以包括通过字线联接至所述存储单元阵列的外围电路。该半导体存储装置可以包括过驱动设置单元，所述过驱动设置单元被配置为利用施加至所述字线的操作电压来确定过驱动操作的过驱动设置参数。所述外围电路可以基于所述过驱动设置参数而利用施加至所述字线的所述操作电压来控制所述过驱动操作。

附图说明

图1是例示根据实施方式的半导体存储装置的框图。

图2是例示图1中所示的存储单元阵列的实施方式的框图。

图3A、图3B和图3C是例示图1中所示的存储单元阵列的其它实施方式的示图。

图4是例示存储单元的阈值电压分布的示例的示图。

图5是例示当根据操作一般半导体存储装置的方法的向字线施加电压时的稳定(settling)时间的曲线图。

图6是例示当根据利用过驱动电压来操作半导体装置的方法的向字线施加电压时的稳定时间的曲线图。

图7A是例示一般半导体存储装置的编程方法的时序图。