[发明专利]一种镀镍用活化液、配置方法、应用、硅片活化方法及镀镍方法

说明书

本发明提供一种镀镍用活化液，包括重量百分比0.00001‑0.001％的贵金属氯化物，重量百分比均为0.1‑0.8％的两种酸，两种酸选自盐酸、氢氟酸、硝酸、硫酸和草酸，其余为水。本发明还提供了一种配置镀镍用活化液的方法，包括将贵金属和王水放入同一容器中；容器中的物质加热煮沸，待溶液挥发消耗后向所述容器中添加盐酸；重复上一步若干次；向得到的产物中加入两种酸和水；本发明还提供活化液在对硅片镀镍前的活化中的应用；硅片镀镍前活化硅片的方法，包括将硅片放入活化液中浸泡；硅片镀镍的方法，包括在镀镍前使用活化硅片的方法对硅片进行活化。使用该活化液活化硅片后镀镍速率快，镀镍液利用率高，镀镍层厚度均匀，最终得到的镀镍产品表面无发花、发亮等异常。

技术领域

本发明涉及半导体硅片制造技术领域，尤其是涉及一种镀镍用活化液、镀镍活化液的制备方法、在硅片镀镍前活化中的应用、硅片活化方法及硅片镀镍方法。

背景技术

在电子元器件制造领域，硅片是一种被广泛使用的半导体材料，高压二极管就是用半导体材料三英寸硅片为主要原料生产的，在硅片进行氮源和磷源的扩散后要进行表面化学镀镍。化学镀镍是利用二价镍离子与还原剂发生氧化还原反应，使镍沉积在硅片表面形成镀层。

而由于硅片在扩散源扩散后或放置时间较长表面会存在氧化层，易使镀镍过程中镍镀层与硅基材附着力不强，镀镍效率低，镀镍液的利用率低，并且镀镍后的镀镍层厚度不均匀，表面存在发花、发亮等异常，达不到工艺要求，且对后续工艺产生影响。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种镀镍用活化液、配置方法、应用、硅片活化方法及镀镍方法，硅片表面经活化液处理后，镀镍效率高，镀镍液利用率高，后续化学镀镍层厚度均匀，无发花、发亮等异常，活化液配置方法简单。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种镀镍用活化液，包括重量百分比0.00001-0.001％的贵金属氯化物，重量百分比均为0.1-0.8％的两种酸，两种酸选自盐酸、氢氟酸、硝酸、硫酸和草酸，其余为水。

技术方案中，优选的，贵金属氯化物为氯化金、氯化钯和氯化铂中的一种或多种，优选的，贵金属氯化物为氯化金。

技术方案中，优选的，两种酸为盐酸和氢氟酸，更优选的，盐酸的重量百分比为0.1-0.5％，氢氟酸的重量百分比为0.3-0.8％。

本发明的另一目的是，提供一种配置上述镀镍用活化液的方法，包括步骤一、将贵金属和王水放入同一容器中；步骤二、将步骤一中所述容器中的物质加热煮沸，待溶液挥发消耗后向所述容器中添加盐酸；步骤三、重复若干次所述步骤二；步骤四、向步骤三得到的产物中加入所述两种酸和水。

技术方案中，优选的，步骤一中加入0.5-5g贵金属和100-200ml王水。

技术方案中，优选的，所述步骤二中将所述容器中的物质加热煮沸至溶液挥发剩30-100ml，然后向所述容器中添加50-200ml盐酸。

技术方案中，优选的，所述步骤四中向步骤三得到的产物中加入各100-1000ml的所述两种酸和15-20L水，并再加入体积为所得溶液8-15倍的水稀释所得溶液。

本发明的又一目的是提供上述活化液在对硅片镀镍前的活化中的应用。

本发明的又一目的是提供一种硅片镀镍前活化硅片的方法，包括将硅片放入上述活化液中浸泡。

本发明的再一目的是提供一种硅片镀镍的方法，包括在镀镍前使用上述活化硅片的方法对硅片进行活化。

本发明具有的优点和积极效果是：使用该活化液在镀镍前对硅片处理，可使硅片镀镍效率提高，镀镍液的利用率高，并且镀镍后硅片表面镀镍层厚度均匀，表面无发花、发亮的异常。

附图说明

图1是本发明实施例一中镀镍后硅片的照片。