[发明专利]3DNAND闪存的台阶接触孔的构建方法

权利要求书

1.3D NAND闪存的台阶接触孔的构建方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供包括第一台阶区域和第二台阶区域的衬底堆叠结构，第一台阶区域和第二台阶区域均设有金属台阶；

刻蚀形成与第一台阶区域的金属台阶相连通的第一台阶接触孔；

在第一台阶接触孔的侧壁和底壁沉积氮化硅，形成氮化硅保护层；

刻蚀除去位于第一台阶接触孔的底壁的氮化硅保护层；

刻蚀形成与第二台阶区域的金属台阶相连通的第二台阶接触孔。

2.如权利要求1所述的台阶接触孔的构建方法，其特征在于，

形成的氮化硅层的厚度为30～150埃。

3.如权利要求1所述的台阶接触孔的构建方法，其特征在于，

衬底堆叠结构包括硅衬底和位于硅衬底表面的堆叠层，金属台阶位于堆叠层内。

4.如权利要求1所述的台阶接触孔的构建方法，其特征在于，

金属台阶为钨台阶。

5.如权利要求1所述的台阶接触孔的构建方法，其特征在于，

形成第一台阶接触孔和第二台阶接触孔的刻蚀方式以及除去底壁的氮化硅的刻蚀工艺均为等离子刻蚀。