[发明专利]一种用于光刻图形工艺的光刻对准方法

权利要求书

1.一种用于光刻图形工艺的光刻对准方法，其特征在于包括以下步骤：

在具有对准标记的前层的表面沉积有至少一层高吸收和/或高反射层；

沉积光刻层；

对准对准标记实施光刻以形成光刻沟道：

沿光刻沟道实施刻蚀以形成对准窗口；

其中，所述光刻使用的光罩的关键尺寸(CD)与对准标记的关键尺寸(CD)的比值大于1.5。

2.根据权利要求1所述的对准方法，其特征在于：

所述高吸收和/或高反射层为多晶硅(Poly)层。

3.根据权利要求1所述的对准方法，其特征在于：

所述光罩的关键尺寸(CD)与对准标记的关键尺寸(CD)的比值优选在1.5-2.5之间。

4.根据权利要求1所述的对准方法，其特征在于：

所述对准标记的关键尺寸(CD)为28.6μm。

5.根据权利要求1所述的对准方法，其特征在于：

所述前层的表面依次沉积有氧化物层、多晶硅(Poly)层、旋涂含碳(SoC)层、氮氧化硅层。

6.根据权利要求5所述的对准方法，其特征在于：

所述沿光刻沟道实施刻蚀以形成对准窗口，刻蚀去除所述多晶硅层后，截止于所述氧化物层。

7.根据权利要求5或6所述的对准方法，其特征在于：

所述氧化物为正硅酸乙酯(TEOS)。