[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

液晶显示装置因其体积小、功耗低、辐射低等特点，占据了目前平板显示装置市场的主导地位。液晶显示装置一般包括分别含有像素电极和公共电极的一对面板以及填充在面板间的液晶。当像素电极与公共电极被加载一定的电势差，液晶会在电压作用下偏转，从而改变入射到液晶的光的偏振状态，使液晶显示装置呈现相应图像。

本申请的发明人在长期的研发中发现，液晶显示装置中多以ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)作为像素电极，但是ITO阻抗较大，并不适合作为电极导线，因此目前用金属作为电极导线，通过转接孔将金属导线承载的电讯号传输至ITO像素电极。但是因为转接孔的存在，使得覆盖在转接孔上的配向膜扩散不均匀，对应转接孔的边缘位置出现堆积，导致显示面板不平坦，影响显示质量。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以解决现有技术中覆盖在转接孔上的配向膜扩散不均匀的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是提供一种阵列基板，包括：

基板；

第一公共电极、第一薄膜晶体管，分别设置于所述基板上；

像素电极，设置于所述第一薄膜晶体管上；

平坦层，设置于所述第一薄膜晶体管上，且覆盖所述像素电极；

配向膜层，设置于所述平坦层上。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是提供一种阵列基板的制备方法，包括：

分别在基板上制备第一公共电极和第一薄膜晶体管；

在所述第一薄膜晶体管上制备像素电极；

在所述第一薄膜晶体管上通过涂布和高温退火制备平坦层，所述平坦层覆盖所述像素电极；

在所述平坦层上涂布配向膜层。

为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。

本发明通过在薄膜晶体管上设置平坦层，实现良好的平坦化，能够使得配向膜的扩散均匀，显示面板平坦，显示质量更好。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：

图1是本发明阵列基板实施例的结构示意图；

图2是本发明阵列基板实施例的结构示意图；

图3是本发明阵列基板的制备方法实施例的流程示意图；

图4是本发明显示面板实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本发明保护的范围。

参见图1和图2，本发明阵列基板实施例包括：

基板10；

第一公共电极20、第一薄膜晶体管30，分别设置于基板10上；

其中，第一薄膜晶体管30包括栅极301、第一绝缘层701、源极302和漏极303，栅极301设置于基板10上；第一绝缘层701设置于栅极301和第一公共电极20上；源极302设置于第一绝缘层701上；漏极303设置于第一绝缘层701上，且与像素电极40连接。

可选的，漏极303与像素电极40可以通过第一转接孔401连接。

可选的，第一公共电极20可以通过第二转接孔201连接。

像素电极40，设置于第一薄膜晶体管30上；

扫描线801，设置于基板10上，且与第一公共电极20位于同一层；

非晶硅层304，设置于第一绝缘层701上，且与源极302、漏极303位于同一层；

数据线802，与扫描线801彼此交叉设置，且与像素电极40位于同一层；

第二绝缘层702，设置于源极302、漏极303和非晶硅层304上；

可选的，非晶硅层304包括第一非晶硅层3041和第二非晶硅层3042，用于配合栅极301、源极302和漏极303实现第一薄膜晶体管30的功能；第二非晶硅层3042中形成沟道，使得第二绝缘层702在对应沟道的位置形成凹槽。