[发明专利]TFT阵列基板及TFT阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板包括：

基板；

遮光层，设置于所述基板的表面；

绝缘层，覆盖于所述基板和所述遮光层的表面；

多晶硅层，设置于所述绝缘层的上方；

栅极绝缘层，覆盖于所述多晶硅层和所述基板的表面；

栅极金属，设置于所述栅极绝缘层的表面，包括并列设置的第一栅极金属和第二栅极金属，所述第一栅极金属为长条状金属，所述第一栅极金属和第二栅极金属交替分布；

隔离层，设置于所述栅极绝缘层和所述栅极金属的上方；

金属数据线，设置于所述隔离层表面，所述金属数据线分别与第一过孔和第二过孔相连，所述金属数据线通过第一过孔与所述第一栅极金属相连，所述金属数据线通过第二过孔与所述多晶硅层相连；

其中，所述第一过孔包括首端第一过孔和尾端第一过孔，所述首端第一过孔和所述尾端第一过孔位于所述第一栅极金属两端的上表面，并与所述金属数据线相连。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一过孔贯穿所述隔离层将所述金属数据线和所述第一栅极金属相连，所述第二过孔依次贯穿所述隔离层和所述栅极绝缘层将所述金属数据线和多晶硅层相连。

3.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述TFT阵列基板的制作方法包括：

步骤S10、提供一基板，在所述基板上方依次设置遮光层和绝缘层；

步骤S20、在所述绝缘层表面制备多晶硅层；

步骤S30、在所述多晶硅层表面制备栅极绝缘层；

步骤S40、在所述栅极绝缘层表面制备栅极金属，

所述栅极金属包括并列设置的第一栅极金属和第二栅极金属，所述第一栅极金属为长条状金属，所述第一栅极金属和第二栅极金属交替分布；

步骤S50、在所述栅极金属表面形成隔离层；

步骤S60、制备第一过孔和第二过孔，所述第一过孔贯穿所述隔离层与所述第一栅极金属相连，所述第二过孔贯穿所述隔离层和所述栅极绝缘层并与所述多晶硅层相连；

步骤S70、在所述隔离层表面形成金属数据线，

所述金属数据线通过第一过孔与所述第一栅极金属相连，所述金属数据线通过第二过孔与所述多晶硅层相连；

其中，所述第一过孔包括首端第一过孔和尾端第一过孔，所述首端第一过孔和所述尾端第一过孔位于所述第一栅极金属两端的上表面，并与所述金属数据线相连。