[发明专利]TFT阵列基板及TFT阵列基板的制作方法有效
申请号: | 201711201198.X | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN108010918B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 王威 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | tft 阵列 制作方法 | ||
本发明提供了一种TFT阵列基板及一种TFT阵列基板的制作方法,包括:基板、遮光层、绝缘层、多晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属、隔离层以及金属数据线;其中所述栅极金属包括并列设置的第一栅极金属和第二栅极金属;所述金属数据线分别与第一过孔和第二过孔相连,所述金属数据线通过第一过孔与所述第一栅极金属相连;所述金属数据线通过第二过孔与所述多晶硅层相连。本发明提供了一种TFT阵列基板及一种TFT阵列基板的制作方法,通过在栅极绝缘层上增设一栅极金属,使得金属数据线与所述栅极金属通过栅极金属上方两侧的过孔相连,从而避免由于金属数据线成膜时发生断线导致TFT阵列基板发生垂直断线的问题,进而大幅度提高了TFT阵列基板的生产良率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种TFT阵列基板及TFT阵列基板的制作方法。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin film transistor-liquid crystal display,TFT-LCD)具有低电压、微功耗、显示信息量大、易于彩色化等优点,在当前的显示器市场占据了主导地位。其已被广泛应用于电子计算机、电子记事本、移动电话、摄像机、高清电视机等电子设备。
目前TFT-LCD显示面板多采用双栅设计,如图1所示,所述TFT阵列基板包括:基板111、遮光层112、绝缘层113、多晶硅层12、栅极绝缘层13、栅极金属14、过孔17、隔离层15和金属数据线16;其中,每个像素中的金属数据线16和栅极线14分别使用不同层的金属线,金属数据线16和14栅极线之间通过一层隔离层15隔开。
高清显示面板在带给我们更细腻显示画面的同时,对生产工艺有了更高的挑战,即要求所有的金属线都能正常连通导电;但在实际生产过程中,经常会因为金属数据线16成膜过程中发生金属数据线断线18导致显示面板出现垂直断线,难以修复,导致显示面板无法正常现回升,影响显示面板的生产良率。
发明内容
本发明提供了一种TFT阵列基板及一种TFT阵列基板的制作方法,以解决金属数据线在成膜过程中由于金属数据线断线导致TFT阵列基板出现垂直断线,进而使得显示面板无法正常显示的问题。
为实现上述目的,本发明提供的技术方案如下:
根据本发明的一个方面,本发明提供了一种TFT阵列基板,所述TFT阵列基板包括:
基板;
遮光层,设置于所述基板的表面;
绝缘层,覆盖于所述基板和所述遮光层的表面
多晶硅层,设置于所述绝缘层的上方;
栅极绝缘层,覆盖于所述多晶硅层和所述基板的表面;
栅极金属,设置于所述栅极绝缘层的表面,包括并列设置的第一栅极金属和第二栅极金属;
隔离层,设置于所述栅极绝缘层和所述栅极金属的上方;
金属数据线,设置于所述隔离层表面,所述金属数据线分别与第一过孔和第二过孔相连;
其中,所述金属数据线通过第一过孔与所述第一栅极金属相连;所述金属数据线通过第二过孔与所述多晶硅层相连。
根据本发明一优选实施例,所述第一过孔包括首端第一过孔和尾端第一过孔。
根据本发明一优选实施例,所述第一栅极金属为长条状金属且位于所述第二栅极金属之间,所述第一栅极金属和第二栅极金属交替分布。
根据本发明一优选实施例所述首端第一过孔和所述尾端第一过孔位于所述第一栅极金属两端的上表面,并与所述金属数据线相连。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711201198.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:会议备份的方法及装置
- 下一篇:基于伪卫星的定位系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的