[发明专利]单端转差分电路及其构成的缓冲器电路和采样保持电路有效
| 申请号： | 201711201528.5 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN107888184B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 张宁;邱雯婷 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单端转差分 电路 及其 构成 缓冲器 采样 保持 | ||
1.一种单端转差分电路，其特征在于，包括：第一MOS～第五MOS；
第一MOS和第二MOS源极连接电源电压；
第三MOS源极连接第一MOS漏极和第一MOS栅极；
第四MOS源极和第二MOS漏极相连作为该单端转差分电路第一连接端；
第五MOS源极和第四MOS漏极连接地；
第三MOS漏极连接第三MOS栅极、第四MOS栅极和第五MOS漏极；
第二MOS栅极作为该单端转差分电路第二连接端，第五MOS栅极作为该单端转差分电路第三连接端。
2.如权利要求1所述的单端转差分电路，其特征在于：第一MOS～第四MOS是PMOS，第五MOS是NMOS。
3.如权利要求1所述的单端转差分电路，其特征在于：第一MOS和第二MOS尺寸一致。
4.一种具有权利要求1所述单端转差分电路的缓冲器电路，其特征在于，还包括：
恒流源和第六MOS～第十五MOS；
第六MOS和第七MOS源极连接电源电压；
第八MOS源极连接第九MOS源极和第十一MOS漏极；
第十MOS源极和第十一MOS源极连接地；
第六MOS漏极连接第六MOS栅极、第七MOS栅极和第八MOS漏极；
第七MOS漏极、第九MOS漏极、第二MOS栅极和第十三MOS栅极相连；
第八MOS栅极作为该缓冲器电路的第一差分输入端，第九MOS栅极作为该缓冲器电路的第二差分输入端；
第十MOS漏极、第十MOS栅极、第十一MOS栅极和第五MOS栅极相连；
恒流源连接在电源电压和第十MOS漏极之间；
第十二MOS和第十三MOS源极连接电源电压,第十四MOS和第十五MOS源极连接地；
第十二MOS漏极连接第十四MOS漏极、第十四MOS栅极和第十五MOS栅极；
第十三MOS漏极和第十五MOS漏极相连作为该缓冲器电路输出端；
第十二MOS栅极连接第二MOS漏极。
5.如权利要求4的缓冲器电路，其特征在于:第六MOS～第九MOS、第十二MOS和第十三MOS是PMOS，第十MOS、第十一MOS、第十四MOS和第十五MOS是NMOS。
6.一种具有权利要求4所述缓冲器电路的采样保持电路，其特征在于，包括：缓冲器电路、第一开关、第二开关、第一电容和第二电容；
缓冲器电路第一差分输入端连接其输出端；
缓冲器电路第二差分输入端连接第一差分信号，缓冲器电路输出端通过串联的第一开关和第二开关连接地；
第一电容一端连接在缓冲电路输出端和第一开关之间，第一电容另一端连接地；
第二电容一端连接在第一开关和第二开关之间，第二电容另一端连接地。
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