[发明专利]单端转差分电路及其构成的缓冲器电路和采样保持电路有效

专利信息
申请号: 201711201528.5 申请日: 2017-11-27
公开(公告)号: CN107888184B 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 张宁;邱雯婷 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 焦天雷
地址: 201203 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 单端转差分 电路 及其 构成 缓冲器 采样 保持
【说明书】:

发明公开了一种单端转差分电路包括:第一MOS和第二MOS第一端连接电源电压;第三MOS第一端连接第一MOS第二端和第一MOS第三端;第四MOS第一端和第二MOS第二端相连作为该单端转差分电路第一连接端;第五MOS第一端和第四MOS第二端连接地;第三MOS第二端连接第三MOS第三端、第四MOS第三端和第五MOS第二端;第二MOS第三端作为该该单端转差分电路第二连接端,第五MOS第三端作为该单端转差分电路第三连接端。本发明还提供了一种具有所述单端转差分电路的缓冲器和一种采样保持电路。本发明的单端转差分电路可以使用差分输入以便第二级电路放大信号。本发明的缓冲器电路相比现有的缓冲器电路,能提供更高增益,提高参考电压的稳定性,提升电路的静态和动态性能。

技术领域

本发明涉及集成电路领域,特别是涉及一种单端转差分电路。本发明还涉及一种由所述单端转差分电路构成的缓冲器电路和一种采样保持电路。

背景技术

缓冲器电路对于例如DAC稳定参考电压的提供在数据转换类电路中非常重要,直接决定了DAC在切换过程中的准确性,影响到整个DAC的动态性能和静态性能,如SNDR,INL,DNL等等。选取一个好的基准电压缓冲器电路,对于DAC设计,尤其是其在高精度领域中的应用,显得至关重要。

目前常见的缓冲器电路采用了一级或者二级运放的设计,其由差分输入的第一级放大器和单端输入的第二级放大器组成。参考图1所示,一种现有的二级放大器,包括第一PMOS~第三PMOS源极连接电源电压,第一PMOS漏极连接第一NMOS漏极、第一POMS栅极和第二PMOS栅极,第二PMOS漏极连接第二NMOS漏极和第三PMOS栅极,第三PMOS漏极和第五NMOS漏极相连作为该缓冲电路输出端,第一NMOS源极连接第二NMOS源极和第四NMO漏极,第三NMOS漏极连接第三NMOS的栅极、第四NMOS的栅极和第五NMOS的栅极,第三NMOS源极、第四NMOS源极和第五NMOS源极连接地,恒流源连接在电源电压和第三NMOS漏极之间。

有的二级放大器设计简单,增益变化小,相位裕度充足,但是不能满足大增益的需要和轨到轨输出。用作缓冲器电路时导致输入输出offset(失调电压)大,使得给DAC提供的参考电压变化大、不准确;非轨到轨的参考电压输出也从一定程度上影响了精度要求,降低了DAC动态和静态性能。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种能使用差分输入的单端转差分电路。本发明还提供了一种具有所述单端转差分电路的缓冲器和一种采样保持电路。

为解决上述技术问题,本发明提供的单端转差分电路,包括:第一MOS~第五MOS;

第一MOS和第二MOS第一端连接电源电压;

第三MOS第一端连接第一MOS第二端和第一MOS第三端;

第四MOS第一端和第二MOS第二端相连作为该单端转差分电路第一连接端;

第五MOS第一端和第四MOS第二端连接地;

第三MOS第二端连接第三MOS第三端、第四MOS第三端和第五MOS第二端;

第二MOS第三端作为该该单端转差分电路第二连接端,第五MOS第三端作为该单端转差分电路第三连接端。

其中,第一MOS~第四MOS是PMOS,第五MOS是NMOS。

其中,第一MOS和第二MOS尺寸一致,MOS尺寸一致是指两个MOS电特性完全相同,本发明中该第一MOS和第二MOS尺寸一致但所实现的功能不同。

本发明提供一种上述单端转差分电路的缓冲器电路,包括:第一级放大器、单端转差分电路和第二级放大器;

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