[发明专利]一种晶圆片抛光后的养护装置及养护工艺

权利要求书

1.一种晶圆片抛光后的养护装置，包括喷淋台(1)、喷淋槽(2)和喷头(4)，其中，所述喷淋台(1)上开设有多个所述喷淋槽(2)，所述喷淋槽(2)用于放置抛盘(3)，所述抛盘(3)的直径为D；多组所述喷头(4)一一对应设置于多个所述喷淋槽(2)的正上方，所述喷头(4)出水时的圆心角为α；

其特征在于，所述喷头(4)的高度L₁大于等于0.5D*cot0.5α，每组喷头(4)中相邻喷头(4)之间的间距L₂小于等于0.25D。

2.根据权利要求1所述的晶圆片抛光后的养护装置，其特征在于，每组所述喷头(4)的中心点与对应的所述喷淋槽(2)的中心线共线。

3.根据权利要求1所述的晶圆片抛光后的养护装置，其特征在于，每组所述喷头(4)包括至少两个喷头(4)。

4.根据权利要求1所述的晶圆片抛光后的养护装置，其特征在于，所述喷淋槽(2)上方设置有喷淋管路(5)，多组所述喷头(4)均匀间隔设置于所述喷淋管路(5)上，所述喷淋管路(5)上还设置有控制所述喷头(4)开闭的控制阀(7)。

5.根据权利要求1所述的晶圆片抛光后的养护装置，其特征在于，所述喷淋槽(2)的长度L₃和宽度L₄均等于1.5D。

6.一种如权利要求1-5任一项所述的晶圆片抛光后的养护装置的养护工艺，其特征在于，将吸附有多个抛光后的晶圆片的抛盘(3)放置到喷淋槽(2)中，并使所述抛盘(3)的竖直轴线正对所述喷淋槽(2)的中心线；打开喷头(4)对所述抛光盘中的所述晶圆片进行喷淋，所述喷头(4)中喷出的液体在所述晶圆片的表面形成一层水性保护膜。

7.根据权利要求6所述的养护工艺，其特征在于，所述喷头(4)中喷出的液体为DI-W(超纯水)稀释后的保湿剂。

8.根据权利要求7所述的养护工艺，其特征在于，所述喷头(4)中喷出的液体为DI-W(超纯水)稀释20倍以上后的保湿剂。

9.根据权利要求6所述的养护工艺，其特征在于，多个所述晶圆片沿所述抛盘(3)的轴线呈圆周分布。