[发明专利]一种晶圆片抛光后的养护装置及养护工艺

说明书

技术领域

本发明涉及晶圆片制造技术领域，尤其涉及一种晶圆片抛光后的养护装置及养护工艺。

背景技术

化学机械抛光工艺(Chemical Mechanical Planarization，CMP)是用化学腐蚀和机械力对加工过程中的晶圆片或其它衬底材料进行平滑处理。包括化学过程和物理过程，其中，化学过程是研磨液中的化学品和晶圆片表面发生化学反应，生成比较容易去除的物质；物理过程是研磨液中的磨粒和晶圆片表面材料发生机械物理摩擦，去除化学反应生成的物质。经CMP工艺处理后必然会造成晶圆片的表面缺陷，一般包括擦伤、残留物和表面污染，所以，在CMP工艺后必须对晶圆片进行有效的清洗来实现CMP的工艺优点，而清洗工艺能够有效清洗晶圆片表面缺陷的前提是CMP工艺处理后的晶圆片表面必需始终保持湿润不干状态，否则会清洗不干净，导致产品不合格。

因此，亟需一种在晶圆片抛光后能够在晶圆片表面形成一层水性保护膜的养护装置及养护工艺，确保晶圆片在清洗时能清洗干净。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆片抛光后的养护装置及养护工艺，以解决现有技术中存在的晶圆片抛光后清洗不干净的技术问题。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种晶圆片抛光后的养护装置，包括喷淋台、喷淋槽和喷头，其中，所述喷淋台上开设有多个所述喷淋槽，所述喷淋槽用于放置抛盘，所述抛盘的直径为D；多组所述喷头一一对应设置于多个所述喷淋槽的正上方，所述喷头出水时的圆心角为α；所述喷头的高度L₁大于等于0.5D*cot0.5α，每组喷头中相邻喷头之间的间距L₂小于等于0.25D。

作为优选，每组所述喷头的中心点与对应的所述喷淋槽的中心线共线。

作为优选，每组所述喷头包括至少两个喷头。

作为优选，所述喷淋槽上方设置有喷淋管路，多组所述喷头均匀间隔设置于所述喷淋管路上，所述喷淋管路上还设置有控制所述喷头开闭的控制阀。

作为优选，所述喷淋槽的长度L₃和宽度L₄均等于1.5D。

一种如以上任一项所述的晶圆片抛光后的养护装置的养护工艺，将吸附有多个抛光后的晶圆片的抛盘放置到喷淋槽中，并使所述抛盘的轴线正对所述喷淋槽的中心线；打开喷头对所述抛光盘中的所述晶圆片进行喷淋，所述喷头中喷出的液体在所述晶圆片的表面形成一层水性保护膜。

作为优选，所述喷头中喷出的液体为DI-W(超纯水)稀释后的保湿剂。

作为优选，所述喷头中喷出的液体为DI-W(超纯水)稀释20倍以上后的保湿剂。

作为优选，多个所述晶圆片沿所述抛盘的轴线呈圆周分布。

本发明的有益效果：

本发明提供的晶圆片抛光后的养护装置及养护工艺，相比于现有技术具有以下有益效果：

1)喷头的安装高度L₁以及每组喷头中相邻喷头的间距L₂由抛盘的直径D和喷头出水时的圆心角α决定，L₁大于等于0.5D*cot0.5α，L₂小于等于0.25D，按照此公式设计，能够保证喷头喷出的保湿剂可以全部有效覆盖抛盘以保证喷淋效果；

2)喷淋槽的尺寸也根据抛盘的直径D设计，喷淋槽的长度L₃和宽度L₄均等于1.5D，喷淋槽的长度和宽度按照此公式设计，既能保证抛盘的有效放置，又不会有多余的面积浪费，有效节约了制造成本。

附图说明

图1是本发明提供的晶圆片抛光后的养护装置的结构示意图。

图中：

1-喷淋台；2-喷淋槽；3-抛盘；4-喷头；5-喷淋管路；6-支撑杆；7-控制阀。

具体实施方式

下面结合附图和实施方式进一步说明本发明的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部。