[发明专利]ZQ校准方法和执行该方法的存储器器件有效
申请号: | 201711202968.2 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN108133724B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 田周鄠;崔训对 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | zq 校准 方法 执行 存储器 器件 | ||
1.一种由存储器器件执行的ZQ校准方法,所述存储器器件包括共享一被连接到ZQ引脚的电阻器的第一裸芯和第二裸芯,所述ZQ校准方法包括:
响应于从所述存储器器件外部施加的ZQ校准命令,使用所述电阻器对所述第一裸芯执行第一校准操作;
在所述第一校准操作结束之后,从所述第一裸芯生成ZQ标志信号并执行所述第一裸芯的第二校准操作;
响应于所述ZQ标志信号,使用所述电阻器执行所述第二裸芯的第一校准操作;以及
在所述第二裸芯的第一校准操作结束之后,执行所述第二裸芯的第二校准操作,
其中所述第一和第二裸芯中的每一个的第一校准操作是生成上拉校准码的上拉校准操作和生成下拉校准码的下拉校准操作中的一个,被用来调整所述第一和第二裸芯中的每一个的终端阻抗值,并且
其中所述第一和第二裸芯中的每一个的第二校准操作是所述上拉校准操作和所述下拉校准操作中的另一个。
2.如权利要求1所述的ZQ校准方法,其中所述第一裸芯的第二校准操作和所述第二裸芯的第一校准操作在一段时间期间重叠。
3.如权利要求1所述的ZQ校准方法,其中所述第一裸芯的第二校准操作在所述第二裸芯的第一校准操作开始之前开始。
4.如权利要求1所述的ZQ校准方法,进一步包括:
通过所述第一裸芯和所述第二裸芯之间的有线互连将所述ZQ标志信号发送给所述第二裸芯。
5.如权利要求1所述的ZQ校准方法,进一步包括:
将所述电阻器与所述第一裸芯和所述第二裸芯封装到所述存储器器件中。
6.一种存储器器件,包括:
电阻器;
第一裸芯,其包括连接到所述电阻器的第一焊盘,所述第一裸芯被配置为响应于ZQ校准命令,使用所述电阻器来执行第一校准操作,当所述第一校准操作被执行时,生成ZQ标志信号,并且另外执行第一裸芯的第二校准操作;以及
第二裸芯,其包括连接到所述电阻器的第二焊盘,所述第二裸芯被配置为响应于所述ZQ标志信号,使用所述电阻器来执行第一校准操作,并且另外执行第二裸芯的第二校准操作,
其中所述第一和第二裸芯中的每一个包括输出驱动器,
其中所述输出驱动器包括上拉驱动器和下拉驱动器,
其中所述第一和第二裸芯中的每一个的第一校准操作是将上拉校准码提供给所述第一和第二裸芯中的每一个的上拉驱动器的上拉校准操作和将下拉校准码提供给所述第一和第二裸芯中的每一个的下拉驱动器的下拉校准操作中的一个,被用来调整所述第一和第二裸芯中的每一个的输出驱动器的终端电阻器,以及
其中所述第一和第二裸芯中的每一个的第二校准操作是所述上拉校准操作和所述下拉校准操作中的另一个。
7.如权利要求6所述的存储器器件,其中所述电阻器、所述第一裸芯和所述第二裸芯被封装到存储器器件中。
8.如权利要求6所述的存储器器件,还包括:
有线互连,其在所述第一裸芯的第三焊盘和所述第二裸芯的第四焊盘之间连接,
其中所述第三焊盘被配置为输出所述ZQ标志信号,以及
其中所述第四焊盘被配置为接收所述ZQ标志信号。
9.如权利要求6所述的存储器器件,还包括:
第一通道和第二通道,其中每个通道包括将命令、地址和数据分别发送给所述第一裸芯和所述第二裸芯的信号线,
其中所述ZQ校准命令通过所述第一通道被提供。
10.如权利要求6所述的存储器器件,其中所述第一裸芯被配置为通过连接在所述第一裸芯的焊盘和所述第二裸芯的焊盘之间的信号线将所述ZQ标志信号发送给所述第二裸芯。
11.如权利要求6所述的存储器器件,其中所述第一裸芯被配置为执行所述第二校准操作并且所述第二裸芯被配置为执行在一段时间期间与所述第一裸芯的第二校准操作重叠的第一校准操作。
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