[发明专利]ZQ校准方法和执行该方法的存储器器件

说明书

被配置为执行ZQ校准方法的存储器器件可以包括共享连接到ZQ引脚的电阻器的第一裸芯和第二裸芯。第一裸芯可以被配置为响应于从存储器器件外部施加的ZQ校准命令，使用电阻器执行第一校准操作。第一裸芯可以被配置为在第一校准操作结束之后生成ZQ标志信号以及执行第二校准操作。第二裸芯可以被配置为响应于ZQ标志信号执行第一校准操作并在第二裸芯的第一校准操作结束之后执行第二校准操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年12月1日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0162912号的优先权，其公开的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

各种示例性实施例涉及半导体器件，更具体地，涉及用于在具有共享ZQ引脚的存储器器件中保持校准操作时间的ZQ校准方法。

背景技术

信号的摆动宽度正在减小，以便最小化半导体器件之间接口的信号的发送时间。随着信号的摆动宽度减小，外部噪声对半导体器件的影响增大，并且可能由接口中的阻抗失配所引起的信号反射可能是严重的问题。为了解决阻抗失配，存储器器件包括ZQ引脚以从存储器器件外部接收ZQ校准命令，并且执行ZQ校准操作，从而控制阻抗匹配。

根据大容量存储器的趋势，可以在一个封装中提供多通道存储器器件。多通道存储器器件包括通过不同通道来独立地操作的多个存储器芯片(或者裸芯)。在多通道存储器器件中，为每个存储器芯片发送命令、地址、以及数据的信号线配置每个存储器芯片的通道。由于每通道若干信号线导致芯片尺寸的开销，所以存储器芯片的ZQ引脚可以被共享以便减少信号线的数量。在这种情况下，用于充分地保持每个存储器芯片的ZQ校准操作时间的方案在多通道存储器器件的说明书中所提供的一段时间期间是有用的。

发明内容

一些示例实施例提供了具有共享ZQ引脚的存储器器件的ZQ校准方法。

一些示例实施例还提供了执行ZQ校准方法的存储器器件。

根据本发明构思的一方面，提供了一种由包括共享一连接到ZQ引脚的电阻器的第一裸芯和第二裸芯的存储器器件所执行的ZQ校准方法，该ZQ校准方法可以包括：响应于从存储器器件外部施加的ZQ校准命令，使用电阻器来对第一裸芯执行第一校准操作；在第一校准操作结束之后，从第一裸芯生成ZQ标志信号并执行第一裸芯的第二校准操作；响应于ZQ标志信号，使用电阻器来执行第二裸芯的第一校准操作；以及在第一裸芯的第一校准操作结束之后，执行第二裸芯的第二校准操作。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种存储器器件，其包括：电阻器、包括一连接到电阻器的第一焊盘的第一裸芯，所述第一裸芯被配置为响应于ZQ校准命令，基于电阻器来执行第一校准操作，当第一校准操作结束时生成ZQ标志信号，以及执行第二校准操作；以及包括一连接到电阻器的第二焊盘的第二裸芯，所述第二裸芯被配置为响应于ZQ标志信号，使用电阻器来执行第一校准操作以及执行第二校准操作。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种电子设备，包括：第一存储器器件，其包括连接到电阻器的第一输出驱动器并被配置为使用电阻器来执行校准操作；第二存储器器件，其包括连接到电阻器的第二输出驱动器并被配置为在第一存储器器件的校准操作期间，使用电阻器来执行校准操作。第一存储器器件被配置为在第一存储器器件的校准操作期间，调整第一输出驱动器的阻抗值。第二存储器器件被配置为在第二存储器器件的校准操作期间，调整第二输出驱动器的阻抗值。

附图说明

从以下结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本发明构思的示例实施例，其中：

图1是根据示例性实施例的多通道存储器件100的框图；

图2是用于说明根据示例实施例的图1的ZQ校准电路的详细配置的图；

图3是根据示例性实施例的图2的ZQ引擎212的电路图；