[发明专利]高压半导体元件

权利要求书

1.一种高压半导体元件，其特征在于，所述的高压半导体元件包括：

具有第一导电型的基底；

具有第二导电型的第一井区，位于所述基底上；

具有所述第一导电型的第二井区，位于所述第一井区旁的所述基底上；

具有所述第二导电型的第一掺杂区，位于所述第一井区中；

具有所述第二导电型的第二掺杂区，位于所述第二井区中；

栅极结构，位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的所述基底上；以及

多个隔离结构，位于所述第一井区中，所述隔离结构排列成一阵列，其中，所述隔离结构排列成多个隔离结构行，且奇数行的隔离结构行中的隔离结构与偶数行的隔离结构行中的隔离结构彼此交错排列，其中各所述隔离结构包括介电柱与所述介电柱下方的具有所述第一导电型的顶掺杂区，其中所述第一井区的底面低于所述隔离结构的底面。

2.如权利要求1所述的高压半导体元件，其特征在于，所述隔离结构行之间的间距一致。

3.如权利要求2所述的高压半导体元件，其特征在于，所述隔离结构的所述顶掺杂区彼此分离。

4.如权利要求2所述的高压半导体元件，其特征在于，所述隔离结构的所述顶掺杂区彼此连接，以形成掺杂图案，其自邻近所述栅极结构朝向所述第一掺杂区的方向延伸。

5.如权利要求4所述的高压半导体元件，其特征在于，所述掺杂图案具有一致的掺杂深度。

6.如权利要求2所述的高压半导体元件，其特征在于，所述隔离结构行的所述隔离结构的宽度不同。

7.如权利要求2所述的高压半导体元件，其特征在于，所述隔离结构行的所述隔离结构的宽度自邻近所述栅极结构朝向所述第一掺杂区的方向渐减。

8.如权利要求1所述的高压半导体元件，其特征在于，所述隔离结构排列成多个隔离结构行，所述隔离结构行之间的间距自邻近所述栅极结构朝向所述第一掺杂区的延伸方向逐渐增加。

9.如权利要求1所述的高压半导体元件，其特征在于，所述的高压半导体元件更包括多个具有所述第一导电型的埋入层，分别位于所述隔离结构与所述基底之间。

10.如权利要求1所述的高压半导体元件，其特征在于，所述的高压半导体元件更包括阻挡层配置于所述隔离结构上。