[发明专利]一种顶栅TFT基板、显示器件及TFT基板的制备方法

权利要求书

1.一种顶栅结构TFT基板，其特征在于，包括：

基板；

布置在所述基板上的薄膜晶体管；以及

布置在所述基板与所述薄膜晶体管之间的光功能层，所述光功能层包括齐平相接的绝缘型透光层和导电型遮光层，所述薄膜晶体管在垂直于所述基板方向上的投影位于所述遮光层的区域内，且所述透光层的材料为遮光层的材料的氧化物；

缓冲层，布置在所述基板与所述光功能层之间；

布置在所述薄膜晶体管与所述光功能层之间的第一绝缘层，以及布置在所述第一绝缘层内的第一电容电极，所述第一电容电极至少能够与所述遮光层形成电容。

2.根据权利要求1所述的顶栅结构TFT基板，其特征在于，所述第一绝缘层与所述透光层由同一材料形成。

3.根据权利要求1所述的顶栅结构TFT基板，其特征在于，所述透光层由钽氧化物形成，所述遮光层由金属钽形成。

4.根据权利要求1所述的顶栅结构TFT基板，其特征在于，还包括布置在所述第一绝缘层上方的第二绝缘层，所述第二绝缘层内布置有第二电容电极，所述第二电容电极至少能够与所述遮光层形成电容。

5.一种显示器件，其特征在于，包括如权利要求1-4中任一项所述的顶栅结构TFT基板。

6.一种顶栅结构TFT基板的制备方法，其特征在于，包括：

制备基板；

在所述基板上形成导电型遮光层；

对所述遮光层的第一区域进行氧化处理形成绝缘型透光层；以及

在所述遮光层的第二区域上方布置薄膜晶体管；其中，

在所述基板与所述遮光层之间形成缓冲层；

至少在所述第二区域布置与所述遮光层相同的材料层并进行氧化处理形成第一绝缘层，所述薄膜晶体管布置在所述第一绝缘层上；在所述第一绝缘层内布置第一电容电极，所述第一电容电极至少能够与所述遮光层形成电容。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述基板上形成导电型遮光层具体包括：

在所述基板上形成钽金属层。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述对所述遮光层的第一区域进行氧化处理形成绝缘型透光层之前，所述方法还包括：

在所述遮光层上布置光刻胶；

保留所述第二区域上的光刻胶，并去除所述第一区域上的光刻胶，

在所述对所述遮光层的第一区域进行氧化处理形成绝缘型透光层之后，所述方法还包括：剥离所述第二区域上的光刻胶。