[发明专利]一种顶栅TFT基板、显示器件及TFT基板的制备方法

说明书

本发明实施例提供了一种顶栅TFT基板、显示器件及该顶栅TFT基板的制备方法，其中，本发明实施例中的顶栅结构TFT基板至少包括：基板；布置在所述基板上的薄膜晶体管；以及布置在所述基板与所述薄膜晶体管之间的光功能层，所述光功能层包括齐平相接的绝缘型透光层和导电型遮光层，所述薄膜晶体管在垂直于所述基板方向上的投影位于所述遮光层的区域内，且所述透光层的材料为遮光层的材料的氧化物。本发明实施例中的顶栅结构TFT基板通过改进制备工艺有效消除了遮光层与透光层间的高段差，提升顶栅TFT基板中电容介电层的特性，进而提高显示器件的寿命和显示品质。

技术领域

本发明涉及本发明涉及显示半导体器件及其相关制造技术领域，特别涉及一种顶栅TFT基板、显示器件及顶栅TFT基板的制备方法。

背景技术

OLED是一种利用有机半导体材料形成的薄膜发光器件，其具有自发光的特性。OLED主要采用较薄的有机材料涂层和玻璃基板形成，而且无需背光源。因此，当有电流通路时，这些有机材料就会主动发光。由于OLED依赖于电流驱动，因此OLED的发光亮度与流经该OLED的电流大小有关，作为驱动的薄膜晶体管(Thin-film transistor，TFT)的电学性能和稳定性的优劣直接影响上述OLED的显示效果。顶栅TFT基板因其特性稳定，逐渐被用在OLED显示器件的TFT基板制作中。现有的顶栅TFT基板的结构一般包括：基板、遮光层、有源层、栅极、源漏极、像素电极和绝缘层。一般TFT基板电容结构会利用两层金属层之间的绝缘层材料形成电容介电层。该种TFT基板电容结构的电容常出现供电不足，产生暗点簇现象，使得整个OLED显示器件出现显示不均匀的问题。

另外，由于现有技术中在制备顶栅TFT基板时的工艺具有缺陷，常使顶栅TFT基板出现以下问题：1)使用遮光金属形成遮光层，并利用刻蚀对其进行图案化，并形成透光层膜层，由于透光层膜厚较厚，形成的膜层与遮光层出现较高段差，易使后段工艺膜层断裂；2)基板与机台接触的瞬间静电电压较高(如曝光机台可以达到～1000V的瞬间静电电压)，因绝缘层击穿电压较低，在工艺过程中因静电积累导致的亚像素在电容薄弱区易致使电容击穿，影响OLED显示基板的品质。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种顶栅TFT基板、具有该顶栅TFT基板的显示器件及该顶栅TFT基板的制备方法，以使通过改进制备工艺有效消除遮光层与透光层间的高段差，提升顶栅TFT基板中电容介电层的特性，提高显示器件的寿命和显示品质。

为此，本发明实施例提供了一种顶栅结构TFT基板，至少包括：

基板；

布置在所述基板上的薄膜晶体管；以及

布置在所述基板与所述薄膜晶体管之间的光功能层，所述光功能层包括齐平相接的绝缘型透光层和导电型遮光层，所述薄膜晶体管在垂直于所述基板方向上的投影位于所述遮光层的区域内，且所述透光层的材料为遮光层的材料的氧化物。

作为优选，还包括布置在所述薄膜晶体管与所述光功能层之间的第一绝缘层，所述第一绝缘层与所述透光层由同一材料形成。

作为优选，所述透光层由钽氧化物形成，所述遮光层由金属钽形成。

作为优选，还包括布置在所述第一绝缘层内的第一电容电极，所述第一电容电极至少能够与所述遮光层形成电容。

作为优选，还包括布置在所述第一绝缘层上方的第二绝缘层，所述第二绝缘层内布置有第二电容电极，所述第二电容电极至少能够与所述遮光层形成电容。

本发明实施例同时提供一种显示器件，其包括如上所述的顶栅结构TFT基板。

本发明实施例还提供一种顶栅结构TFT基板的制备方法，包括：

制备基板；

在所述基板上形成导电型遮光层；