[发明专利]阵列基板及其制备方法以及有机电致发光显示装置在审
| 申请号： | 201711206858.3 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN107910355A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 铃木浩司;陈卓;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 叶剑 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制备 方法 以及 有机 电致发光 显示装置 | ||
1.一种阵列基板，所述阵列基板具有发光区域，其特征在于，包括：
基板；
形成于所述基板上的多个绝缘膜层，其中，多个所述绝缘膜层包括至少一层第一绝缘膜层和至少一层第二绝缘膜层，各所述第二绝缘膜层于所述发光区域内开设有第一通口；
形成于相异的所述绝缘膜层上的栅极和源/漏极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘膜层为氧化硅膜层。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘膜层为氮化硅膜层。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘膜层为氮化硅膜层。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘膜层为氧化硅膜层。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括保护膜层，所述保护膜层形成于所述源/漏极上，且所述保护膜层于所述发光区域内开设有第二通口。
7.一种有机电致发光显示装置，其特征在于，包括权利要求1-4任一项中所述的阵列基板。
8.一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板具有发光区域，其特征在于，包括：
在基板上形成多个绝缘膜层，在相异的所述绝缘膜层上分别形成栅极和源/漏极，其中，多个所述绝缘膜层包括至少一层第一绝缘膜层和至少一层第二绝缘膜层，在每形成一层所述第二绝缘膜层后，将所述第二绝缘膜层在所述发光区域内的部分去除。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，还包括在所述源/漏极上形成保护膜层。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述源/漏极上形成保护膜层的步骤之后还包括：
将所述保护膜层在所述发光区域内的部分去除。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
