[发明专利]阵列基板及其制备方法以及有机电致发光显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及阵列基板及其制备方法以及有机电致发光显示装置。

背景技术

多晶硅(p-si)阵列基板(Thin Film Transistor，TFT)由于具有响应时间快、容易实现重掺杂、沟道电流稳定等优点，在显示领域得到了广泛应用。

TFT显示面板由呈矩阵分布的多个像素单元组成，每个像素单元具有发光区域和非发光区域。显示面板根据发光方向不同，可以分为基板侧发光的显示面板和膜层侧发光的显示面板。基板侧发光的显示面板，电致发光器件发出的光依次穿过各层绝缘膜和基板向外传播。而膜层侧发光的显示面板，电致发光器件发出的光从各膜层的另一侧向外传播，也就是说，发光不需要经过各绝缘膜。

传统的基板侧发光的显示面板，发光区域中具有由至少一层缓冲膜及至少一层绝缘膜叠加组成的多膜层结构，由于不同膜层的折射率不同，光线在不同膜层的交界面处发生反射，使得透射出基板的光线变弱，导致TFT显示面板的出光效率变差。除此之外，不同材质的膜层之间的交界面处的反射光还容易产生光的干涉作用，导致TFT显示面板出现色度不均的现象。

发明内容

基于此，有必要提供一种阵列基板及其制备方法以及有机电致发光显示装置。

一种阵列基板，包括：

基板；

形成于所述基板上的多个绝缘膜层，其中，多个所述绝缘膜层包括至少一层第一绝缘膜层和至少一层第二绝缘膜层，各所述第二绝缘膜层于所述发光区域内开设有第一通口；

形成于相异的所述绝缘膜层上的栅极和源/漏极。

在其中一个实施例中，所述第一绝缘膜层为氧化硅膜层。

在其中一个实施例中，所述第二绝缘膜层为氮化硅膜层。

在其中一个实施例中，所述第一绝缘膜层为氮化硅膜层。

在其中一个实施例中，所述第二绝缘膜层为氧化硅膜层。

在其中一个实施例中，还包括保护膜层，所述保护膜层形成于所述源/漏极上，且所述保护膜层于所述发光区域内开设有第二通口。

一种有机电致发光显示装置，包括上述任一实施例中所述的阵列基板。

一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板具有发光区域，包括：

在基板上形成多个绝缘膜层，在相异的所述绝缘膜层上分别形成栅极和源/漏极，其中，多个所述绝缘膜层包括至少一层第一绝缘膜层和至少一层第二绝缘膜层，在每形成一层所述第二绝缘膜层后，将所述第二绝缘膜层在所述发光区域内的部分去除。

在其中一个实施例中，还包括在所述源/漏极上形成保护膜层。

在其中一个实施例中，所述在所述源/漏极上形成保护膜层的步骤之后还包括：

将所述保护膜层在所述发光区域内的部分去除。

上述阵列基板及其制备方法以及有机电致发光显示装置，通过将发光区域内的第二绝缘膜层刻蚀掉，使得发光区域内仅保留第一绝缘膜层，使得发光区域内的膜层材质单一，有利于使得各膜层的折射率一致，进而有效避免光线在不同膜层的交界面处发生反射，使得透射出基板的光线较强，使得有机电致发光显示装置的出光效率更高，色度更为均匀，出光效果更佳。

附图说明

图1A为一个实施例的阵列基板的局部剖面结构示意图；

图1B为一个实施例的有机电致发光显示装置的局部剖面结构示意图；

图2A为一个实施例的阵列基板在制备过程的结构示意图；

图2B为一个实施例的阵列基板在制备过程的结构示意图；

图2C为一个实施例的阵列基板在制备过程的结构示意图；

图2D为一个实施例的阵列基板在制备过程的结构示意图；

图2E为一个实施例的阵列基板在制备过程的结构示意图；

图2F为一个实施例的阵列基板在制备过程的结构示意图；

图2G为一个实施例的阵列基板在制备过程的结构示意图；

图2H为一个实施例的有机电致发光显示装置在制备过程的结构示意图；

图2I为一个实施例的有机电致发光显示装置在制备过程的结构示意图；

图2J为一个实施例的有机电致发光显示装置在制备过程的结构示意图；

图2K为一个实施例的有机电致发光显示装置在制备过程的结构示意图；

图3A为一个实施例的阵列基板的制备方法的流程示意图；

图3B为一个实施例的有机电致发光显示装置的制备方法的流程示意图。

具体实施方式