[发明专利]一种阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201711209087.3 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN107946319B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 丛乐乐;孙建;王争奎;秦文文;张建军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,所述阵列基板划分为显示区域和非显示区域,其特征在于,所述非显示区域包括:设置在衬底基板上用于与IC连接的第一连接端子和用于与柔性线路板连接的第二连接端子,所述第一连接端子和所述第二连接端子通过连接线相连接;
其中,所述连接线至少部分与位于所述显示区域的第一金属走线同层同材料;所述第一金属走线的电阻率小于栅线的电阻率;
所述连接线包括依次相连接的第一子连接线、第三子连接线和第二子连接线;所述第一子连接线与所述第一连接端子相连接,所述第二子连接线与所述第二连接端子相连接;
其中,所述第一子连接线、所述第二子连接线与栅线同层同材料,所述第三子连接线与所述第一金属走线同层同材料;所述栅线相对于所述第一金属走线靠近所述衬底基板。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二子连接线和所述第三子连接线的交界位置处设置有至少一个第一薄膜晶体管;所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二子连接线相连接,所述第一薄膜晶体管的第一极、第二极分别与所述第三子连接线相连接;
和/或,所述第一子连接线和所述第三子连接线的交界位置处设置有至少一个第二薄膜晶体管;所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一子连接线相连接,所述第二薄膜晶体管的第一极、第二极分别与所述第三子连接线相连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述非显示区域还包括:设置在相邻且用于传输相同信号的所述第二连接端子之间的第一连接条,所述第一连接条与相邻所述第二连接端子均接触;
和/或,所述非显示区域还包括:设置在相邻且用于传输相同信号的所述第一连接端子之间的第二连接条,所述第二连接条与相邻所述第一连接端子均接触。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,在所述非显示区域还包括第一连接条的情况下,所述第一连接条与所述第二连接端子中的至少一层同层同材料;
和/或,在所述非显示区域还包括第二连接条的情况下,所述第二连接条与所述第一连接端子中的至少一层同层同材料。
5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属走线为数据线。
6.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属走线为三层叠层结构,所述三层叠层结构中的中间层的材料为Al,两侧的材料为Ti;所述栅线的材料为Mo。
7.一种显示装置,其特征在于,包括IC、柔性线路板以及权利要求1-6任一项所述的阵列基板;
所述IC与第一连接端子相连接,所述柔性线路板与第二连接端子相连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的