[发明专利]一种阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201711209087.3 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN107946319B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 丛乐乐;孙建;王争奎;秦文文;张建军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
本发明实施例提供一种阵列基板及显示装置,涉及显示技术领域,可解决现有技术中与IC连接的第一连接端子和与FPC连接的第二连接端子之间的连接线在大电流下易于烧断的问题。所述阵列基板划分为显示区域和非显示区域,所述非显示区域包括:设置在衬底基板上用于与IC连接的第一连接端子和用于与柔性线路板连接的第二连接端子,所述第一连接端子和所述第二连接端子通过连接线相连接;其中,所述连接线至少部分与位于所述显示区域的第一金属走线同层同材料;所述第一金属走线的电阻率小于栅线的电阻率。用于防止第一连接端子和第二连接端子之间的连接线在大电流时烧断。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的日新月异,人们对显示产品工作性能上的要求越来越高。但是随着显示产品的不断研发,由于显示产品的工艺复杂流程繁多,随之产生的不良也在不断增加。示例的,如图1所示,显示面板中具有与IC(Integrated Circuit,集成电路)连接的第一连接端子(PIN或Bonding PIN,还可称为引脚、引脚图案或绑定图案等)10和与FPC(Flexible Printed Circuit,柔性线路板)连接的第二连接端子20,第一连接端子10和第二连接端子20之间通过连接线30相连,在大电流的情况下,该连接线30如图2所示常会出现烧断现象,从而严重影响了显示面板的正常显示。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及显示装置,可解决现有技术中与IC连接的第一连接端子和与FPC连接的第二连接端子之间的连接线在大电流下易于烧断的问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供一种阵列基板,所述阵列基板划分为显示区域和非显示区域,所述非显示区域包括:设置在衬底基板上用于与IC连接的第一连接端子和用于与柔性线路板连接的第二连接端子,所述第一连接端子和所述第二连接端子通过连接线相连接;其中,所述连接线至少部分与位于所述显示区域的第一金属走线同层同材料;所述第一金属走线的电阻率小于栅线的电阻率。
优选的,所述连接线包括依次相连接的第一子连接线、第三子连接线和第二子连接线;所述第一子连接线与所述第一连接端子相连接,所述第二子连接线与第二连接端子相连接;其中,所述第一子连接线、所述第二子连接线与栅线同层同材料,所述第三子连接线与所述第一金属走线同层同材料;所述栅线相对于所述第一金属走线靠近所述衬底基板。
进一步优选的,所述第二子连接线和所述第三子连接线的交界位置处设置有至少一个第一薄膜晶体管;所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二子连接线相连接,所述第一薄膜晶体管的第一极、第二极分别与所述第三子连接线相连接;和/或,所述第一子连接线和所述第三子连接线的交界位置处设置有至少一个第二薄膜晶体管;所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一子连接线相连接,所述第二薄膜晶体管的第一极、第二极分别与所述第三子连接线相连接。
优选的,所述非显示区域还包括:设置在相邻且用于传输相同信号的所述第二连接端子之间的第一连接条,所述第一连接条与相邻所述第二连接端子均接触;和/或,所述非显示区域还包括:设置在相邻且用于传输相同信号的所述第一连接端子之间的第二连接条,所述第二连接条与相邻所述第一连接端子均接触。
进一步优选的,在所述非显示区域还包括所述第一连接条的情况下,所述第一连接条与所述第二连接端子中的至少一层同层同材料;和/或,在所述非显示区域还包括所述第二连接条的情况下,所述第二连接条与所述第一连接端子中的至少一层同层同材料。
优选的,整条所述连接线与所述第一金属走线同层同材料。
进一步优选的,所述非显示区域还包括:设置在所述第一连接端子、所述第二连接端子和所述连接线之间的绝缘层;所述第一连接端子和所述第二连接端子穿过所述绝缘层上的过孔与所述连接线相连接。
优选的,所述第一金属走线为数据线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的