[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体元件，其具有第一焊盘；

框架部件，其具有第二焊盘；

连接部件，其含有铜及银中的至少一者，并连接所述第一焊盘及所述第二焊盘；和

包封部，其由不含有意识地添加的硫的树脂组合物形成，并包封所述半导体元件、所述框架部件及所述连接部件，

所述第二焊盘的上表面的算术平均粗糙度大于所述第一焊盘的算术平均粗糙度。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一焊盘的上表面的算术平均粗糙度为0.02μm以上。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述框架部件的表面的算术平均粗糙度小于所述第一焊盘的算术平均粗糙度。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述框架部件的表面的算术平均粗糙度小于所述第一焊盘的算术平均粗糙度。

5.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体元件，其具有第一焊盘；

框架部件，其具有第二焊盘；

连接部件，其含有铜及银中的至少一者，并连接所述第一焊盘及所述第二焊盘；和

包封部，其由不含有意识地添加的硫的树脂组合物形成，并包封所述半导体元件、所述框架部件及所述连接部件，

所述第一焊盘的上表面的算术平均粗糙度为0.02μm以上，

所述框架部件的表面的算术平均粗糙度小于所述第一焊盘的算术平均粗糙度。

6.如权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二焊盘的上表面的算术平均粗糙度为0.03μm以上。

7.如权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述框架部件的表面的算术平均粗糙度为0.01μm以上。

8.如权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述包封部的所述树脂组合物不含卤素。

9.如权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在120℃且100小时的提取条件的离子色谱分析中，所述包封部的所述树脂组合物中的NH₄离子的含有量大于0且为55ppm以下。

10.如权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述包封部的所述树脂组合物中的硫的含有量少于NH₄离子的含有量。

11.如权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件在所述第一焊盘的周围具有由聚酰亚胺形成的保护部。

12.如权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述连接部件含有铜，

所述第一焊盘的硬度低于所述连接部件的硬度，且高于所述连接部件的硬度的1/3。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一焊盘含有铜。

14.如权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件具有设置于所述第一焊盘的下方的势垒金属。

15.如权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述框架部件由铜形成。

16.如权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一焊盘的上表面中的粗糙度曲线的最大截面高度为0.2μm以上。