[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，其提高半导体装置的可靠性。提供一种半导体装置，其具备：具有第一焊盘的半导体元件；具有第二焊盘的框架部件；含有铜及银中的至少一者并且连接第一焊盘及第二焊盘的连接部件；和由不含硫的树脂组合物形成并且包封半导体元件、框架部件及连接部件的包封部，第一焊盘的上表面的算术平均粗糙度为0.02μm以上。第二焊盘的上表面的算术平均粗糙度可以大于第一焊盘的算术平均粗糙度。树脂组合物的硫的含有量可以少于NHsubgt;4/subgt;离子的含有量。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，公知有利用引线等连接部件连接半导体芯片和引线框架，并利用树脂进行包封的半导体装置(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2007-305772号公报

发明内容

技术问题

半导体装置优选具有高可靠性。

技术方案

在本发明的一个方式中，提供一种半导体装置，其具备：半导体元件，其具有第一焊盘；框架部件，其具有第二焊盘；连接部件，其连接第一焊盘及第二焊盘；和包封部，其包封半导体元件、框架部件及连接部件。连接部件可以含有铜及银中的至少一者。包封部可以由不含硫的树脂组合物形成。第一焊盘的上表面的算术平均粗糙度为0.02μm以上。

第二焊盘的上表面的算术平均粗糙度可以大于第一焊盘的上表面的算术平均粗糙度。框架部件的表面的算术平均粗糙度可以小于第一焊盘的算术平均粗糙度。第二焊盘的上表面的算术平均粗糙度可以为0.03μm以上。框架部件的表面的算术平均粗糙度可以为0.01μm以上。

包封部的树脂组合物可以不含卤素。在120℃且100小时的提取条件的离子色谱分析中，包封部的树脂组合物中的NH₄离子的含有量可以大于0且为55ppm以下。包封部的树脂组合物中的硫的含有量可以少于NH₄离子的含有量。

半导体元件可以在第一焊盘的周围具有由聚酰亚胺形成的保护部。连接部件可以含有铜。第一焊盘的硬度可以低于连接部件的硬度，并高于连接部件的硬度的1/3。

第一焊盘可以含有铜。半导体元件可以具有设置于第一焊盘的下方的势垒金属。框架部件可以由铜形成。

第一焊盘的上表面的粗糙度曲线的最大截面高度可以为0.2μm以上。第一焊盘的上表面的算术平均粗糙度可以为0.1μm以下。

在本发明的第二方式中，提供一种制造半导体装置的制造方法，所述半导体装置具备：具有第一焊盘的半导体元件；和具有第二焊盘的框架部件。制造方法可以具备使半导体元件的第一焊盘的上表面的算术平均粗糙度为0.02μm以上的步骤。制造方法可以具备利用含有铜及银中的至少一者的连接部件将半导体元件的第一焊盘与框架部件的第二焊盘连接的步骤。制造方法可以具备利用不含硫的树脂组合物包封半导体元件、框架部件及连接部件的步骤。

制造方法可以具备使第二焊盘的上表面的算术平均粗糙度大于第一焊盘的算术平均粗糙度的步骤。制造方法可以具备利用树脂组合物包封半导体元件、框架部件及连接部件的步骤，所述树脂组合物是在120℃且100小时的提取条件的离子色谱分析中，NH₄离子的含有量大于0且为55ppm以下的树脂组合物。

上述发明的概要没有列举本发明的全部特征。这些特征组的子组合也是本发明。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的半导体装置100的一个例子的剖视图。

图2是表示XY面中的第一框架部件30、半导体元件10、第二框架部件50、及连接部件60的配置例的图。