[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201711214162.5 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN107946320B | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 李岩锋;于亚楠;徐敬义;赵欣;王晓康;任艳伟;李伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括显示区域和非显示区域,所述非显示区域的阵列基板包括:基板,以及设置在所述基板上的冗余数据线和有效数据线,所述冗余数据线的宽度大于所述有效数据线的宽度;
其中,所述冗余数据线靠近所述阵列基板的边缘,所述有效数据线位于所述冗余数据线靠近所述显示区域的一侧;
所述冗余数据线为网格状。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述冗余数据线的宽度与所述有效数据线的宽度之差大于0.5μm且小于或等于68μm。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述冗余数据线的宽度大于2.5μm且小于或等于70μm。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述冗余数据线的宽度大于10μm且小于或等于20μm。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述冗余数据线或所述有效数据线的材料至少为下列之一:Mo、Al、Ti、Au、Cu、Hf、Ta。
6.根据权利要求1至5任一项所述的阵列基板,其特征在于,还包括:设置在所述冗余数据线和所述有效数据线上的平坦层。
7.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1至6任一项所述的阵列基板。
8.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求7所述的显示面板。
9.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述阵列基板包括显示区域和非显示区域,所述非显示区域的阵列基板的制备方法,包括:
提供基板;
在所述基板上形成冗余数据线和有效数据线,所述冗余数据线的宽度大于所述有效数据线的宽度;
其中,所述冗余数据线靠近所述阵列基板的边缘,所述有效数据线位于所述冗余数据线靠近所述显示区域的一侧;
所述冗余数据线为网格状。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述冗余数据线的宽度与所述有效数据线的宽度之差大于0.5μm且小于或等于68μm。
11.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述冗余数据线的宽度大于2.5μm且小于或等于70μm。
12.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,所述冗余数据线的宽度大于10μm且小于或等于20μm。
13.根据权利要求9至12任一项所述的制备方法,其特征在于,还包括:在所述冗余数据线和所述有效数据线上形成平坦层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的