[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，包括：

沉积一第一硅层，其中该第一硅层包括：一第一部，位于突出高于一基体结构的多个条形体上方；以及一第二部，填入所述多个条形体之间的多个沟槽内；

实施一第一退火而容许部分的该第一硅层的该第一部朝向所述多个沟槽的下部移动；以及

对该第一硅层实施一第一蚀刻而去除该第一硅层的若干部分，使表面具有该第一硅层的所述多个沟槽的上部宽度大于下部宽度。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，还包括：

沉积一第二硅层；

实施一第二退火，以对该第一硅层及该第二硅层进行退火；以及

对该第一硅层及该第二硅层实施一第二蚀刻。

3.如权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其中所述多个条形体包括多个虚置栅极堆叠，且该制造方法还包括：

形成一介电层于所述多个虚置栅极堆叠上，而该第一硅层沉积于该介电层上；以及

完全去除位于该介电层上的该第一硅层及该第二硅层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的制造方法，还包括：

去除所述多个虚置栅极堆叠而形成多个凹口；以及

形成多个取代栅极于所述多个凹口内，而该第一硅层及该第二硅层在形成所述多个取代栅极之后去除。

5.如权利要求3所述的半导体结构的制造方法，还包括完全去除该第一硅层及该第二硅层之后，完全去除该介电层。

6.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中所述多个条形体包括多个半导体鳍部，且该制造方法还包括形成一虚置栅极介电层于所述多个半导体鳍部上，而该第一硅层沉积于该虚置栅极介电层上。

7.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，还包括在实施该第一蚀刻之后，图案化该第一硅层而形成一虚置栅极堆叠。

8.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中于介于450℃至600℃之间的温度实施该第一退火。

9.一种半导体结构的制造方法，包括︰

形成多个源极/漏极区于多个半导体鳍部上，其中所述多个半导体鳍部位于多个虚置栅极堆叠之间；

形成一介电层于所述多个源极/漏极区及所述多个虚置栅极堆叠上；

将一半导体材料完全填满位于所述多个虚置栅极堆叠之间的多个沟槽，其中完全填满所述多个沟槽包括：

实施一第一沉积-退火-蚀刻循环周期而形成一第一半导体层于该介电层上，而该第一半导体层局部填入位于所述多个虚置栅极堆叠之间的所述多个沟槽内；

平坦化该半导体材料直至露出所述多个虚置栅极堆叠；

以多个取代栅极来取代所述多个虚置栅极堆叠；以及

去除该半导体材料的余留部分。

10.如权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其中将该半导体材料完全填满所述多个沟槽还包括实施一第二沉积-退火-蚀刻循环周期而形成一第二半导体层于该第一半导体层上。

11.如权利要求10所述的半导体结构的制造方法，其中该第一沉积-退火-蚀刻循环周期包括：

沉积该第一半导体层而成一顺应性层；

对该第一半导体层实施退火；以及

蚀刻该第一半导体层而去除该第一半导体层的若干部分。

12.如权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其中在实施该退火中，该第一半导体层的上部移动至所述多个沟槽的下部。

13.如权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其中于介于450℃至600℃之间的温度实施该退火。