[发明专利]一种多级闪存单元纠错方法、系统、装置及可读存储介质

权利要求书

1.一种多级闪存单元纠错方法，其特征在于，包括：

利用单元间干扰的阈值电压概率密度函数计算出各阈值电压窗经过单元间干扰后的单元阈值电压分布均值；

利用各阈值电压窗经过单元间干扰后的单元阈值电压分布均值，计算出各阈值电压窗经过单元间干扰和持久性干扰的阈值电压分布均值和标准差；

利用各阈值电压窗经过单元间干扰和持久性干扰的阈值电压分布均值和标准差，计算出各阈值电压窗间参考电压的偏移值，利用各阈值电压窗间参考电压的偏移值调整纠错码译码器中各阈值电压窗间的参考电压，以利用纠错码对闪存纠错；

其中，所述利用各阈值电压窗经过单元间干扰后的单元阈值电压分布均值，计算出各阈值电压窗经过单元间干扰和持久性干扰的阈值电压分布均值和标准差的过程，包括：

利用各阈值电压窗经过单元间干扰后的单元阈值电压均值代入经过单元间干扰和持久性干扰后的阈值电压分布偏移量公式，计算出各阈值电压窗经过单元间干扰和持久性干扰后相应的阈值电压分布偏移量公式；其中，

阈值电压分布偏移量均值公式为：

式中，μ_r表示经过持久性阈值电压偏移量，s表示当前阈值电压窗的状态，其中，各预设参数为K_s＝0.333，x₀＝1.4，A_t＝3.5×10^-5，B_t＝2.35×10^-4，a_i＝0.62，a_o＝0.3；

利用各阈值电压窗经过单元间干扰后的阈值电压分布均值和各阈值电压窗经过单元间干扰和持久性干扰后相应的阈值电压分布偏移量，代入经过单元间干扰和持久性干扰后电压均值公式，计算出各阈值电压窗经过单元间干扰和持久性干扰后的阈值电压分布均值；其中，

单元间干扰和持久性干扰电压均值公式为：

式中，表示状态为s的阈值电压窗经过单元间干扰和持久性干扰后的电压均值；

利用各阈值电压窗的无干扰的标准差、闪存经过单元间干扰后阈值电压偏移量分布的标准差和各阈值电压窗经过持久性干扰后相应的阈值电压分布偏移量，计算出各阈值电压窗经过单元间干扰和持久性干扰后的阈值电压分布标准差；

其中，利用单元间干扰的阈值电压概率密度函数和闪存的经过单元间干扰后的阈值电压偏移量代入闪存阈值电压偏移量分布标准差公式，计算得到闪存经过单元间干扰后阈值电压偏移量分布的标准差；其中，

闪存阈值电压偏移量分布标准差公式为：

式中，表示闪存经过单元间干扰后阈值电压偏移量分布的标准差；

各阈值电压窗经过单元间干扰和持久性干扰的阈值电压分布标准差为：

式中，表示状态为s的阈值电压窗经过单元间干扰和持久性干扰的阈值电压分布标准差，表示状态为s的阈值电压窗在无干扰情况下的阈值电压分布标准差；

其中，所述利用各阈值电压窗经过单元间干扰和持久性干扰的阈值电压分布均值和标准差，计算出各阈值电压窗间参考电压的偏移值的过程，包括：

将各阈值电压窗经过单元间干扰和持久性干扰后的阈值电压分布转换为高斯分布并计算出其均值和标准差，再根据分布计算出各阈值电压窗的交点；

将硬判决参考电压设置在计算出的交点上，利用各阈值电压窗的初始参考电压位置和各阈值电压窗的交点，从而计算出经过单元间干扰和持久性干扰后各阈值电压窗间参考电压的偏移值；

其中，所述利用各阈值电压窗的初始参考电压位置和各阈值电压窗的交点，从而计算出经过单元间干扰和持久性干扰后各阈值电压窗间参考电压的偏移值的过程，包括：

将预先设置的各阈值电压窗的初始参考电压位置和各阈值电压窗的交点代入参考电压公式，计算出各阈值电压窗间的参考电压偏移量；其中，

参考电压偏移值公式为：

式中，表示经过持久性干扰后第n个阈值电压窗与第n+1个阈值电压窗之间参考电压的偏移值，表示第n个阈值电压窗与第n+1个阈值电压窗之间未发生持久性干扰式硬判决参考电压的位置，表示第n个阈值电压窗与第n+1个阈值电压窗之间的交点，其中，n＝1，2，3。