[发明专利]一种多级闪存单元纠错方法、系统、装置及可读存储介质

说明书

本申请公开了一种多级闪存单元纠错方法、系统、装置及可读存储介质，包括：利用单元间干扰的阈值电压概率密度函数计算出各阈值电压窗经过单元间干扰后的单元阈值电压分布均值，再计算出各阈值电压窗经过单元间干扰和持久性干扰的阈值电压分布均值和标准差，并计算出各阈值电压窗间参考电压的偏移值，利用各阈值电压窗间参考电压的偏移值调整纠错码译码器中各阈值电压窗间的参考电压；本申请综合考虑单元间干扰和持久性干扰对闪存的影响，利用闪存经过单元间干扰和持久性干扰后的阈值电压分布均值和标准差，计算出根据擦除、编程和时间变化动态调整的参考电压，使闪存的LDPC纠错码能够很好地保证闪存的可靠性，保证纠错码的纠错性能。

技术领域

本发明涉及闪存领域，特别涉及一种多级闪存单元纠错方法、系统、装置及可读存储介质。

背景技术

随着科技的发展，NAND闪存因其抗震性、快速读写等特性，越来越受到关注，使得闪存具有更大的存储密度和减小了成本。但是闪存密度的增大也使闪存内部的干扰增大，从而影响其可靠性，随着MLC(Multi-Level Cell，多层单元闪存)、TLC型NAND闪存的应用，其闪存内部干扰的增大，传统的BCH纠错码已经不再能保证闪存的可靠性。因为闪存作为一存储元件需要具备较高的可靠性。一般在闪存中，其误码率需要达到10^-15。而具有接近香农限性能的LDPC纠错码逐渐被广大厂商和研究者应用在NAND闪存中。相较于BCH纠错码使用硬判决译码方法，LDPC纠错码(LDPC，Low Density Parity Check Code，低密度奇偶校验码)使用软判决译码方法能大大减小误码率。从而保证闪存的误码率在10^-15以下。在闪存译码方面，LDPC纠错码一般采用MIN-SUM译码算法。同时，研究者为闪存提高可靠度，也提出一些改进的译码算法。

LDPC纠错码在MLC型闪存中是使用软判决译码方法来保证闪存的可靠性。在传统的闪存中，需要使用多个参考电压来感知闪存单元的电压范围，并赋予一个存储在表中的对数似然比作LDPC译码的先验信息。在感知闪存单元方面，每个闪存单元电压一定位于两个相邻参考电压之间。因此，感知一个闪存单元的电压范围一定是某一相邻参考电压，而且相邻的两个参考电压都有存有一个对数似然比，供译码使用。但闪存的持久性干扰随着擦除和编程次数和数据保持时间(data retention time)的增加而增加，原先存储的对数似然比已不再精确，从而导致LDPC纠错码的纠错性能逐渐下降。

因此，如何研制一种动态检测纠错方法，能够保证纠错性能稳定，是当前技术人员需要解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种多级闪存单元纠错方法、系统、装置及可读存储介质，使闪存的纠错码能够很好地保证闪存的可靠性，保证纠错码的纠错性能。其具体方案如下：

一种多级闪存单元纠错方法，包括：

利用单元间干扰的阈值电压概率密度函数计算出各阈值电压窗经过单元间干扰后的单元阈值电压分布均值；

利用各阈值电压窗经过单元间干扰后的单元阈值电压分布均值，计算出各阈值电压窗经过单元间干扰和持久性干扰的阈值电压分布均值和标准差；

利用各阈值电压窗经过单元间干扰和持久性干扰的阈值电压分布均值和标准差，计算出各阈值电压窗间参考电压的偏移值，利用各阈值电压窗间参考电压的偏移值调整纠错码译码器中各阈值电压窗间的参考电压，以利用纠错码对闪存纠错。

可选的，所述利用单元间干扰的阈值电压概率密度函数计算出各阈值电压窗经过单元间干扰后的单元阈值电压分布均值的过程，包括：

利用单元间干扰的阈值电压概率密度函数计算出所述闪存经过单元间干扰后阈值电压分布的偏移均值；

利用所述闪存经过单元间干扰后阈值电压分布的偏移均值和各阈值电压窗无干扰的电压均值，计算出各阈值电压窗经过单元间干扰后的阈值电压分布均值。