[发明专利]硅片烧结工艺

权利要求书

1.硅片烧结工艺，其特征在于，采用硅片可悬空烘干的烧结炉；所述硅片可悬空烘干的烧结炉，包括烘干炉区(1)、烧结炉区(2)、冷却炉区(3)以及输送装置(4)，所述输送装置(4)依次贯穿烘干炉区(1)、烧结炉区(2)、冷却炉区(3)；

其特征在于：位于烘干炉区(1)内的输送装置(4)上设置有喷气装置(43)；所述输送装置(4)包括前后两个驱动辊(41)以及支撑座；所述驱动辊(41)通过支撑座(48)支撑，所述驱动辊(41)上缠绕有传送带(42)，所述传送带(42)为传送网；所述支撑座(48)上设置有驱动驱动辊(41)转动的驱动装置(5)；

所述传送带(42)两侧设置有限位挡板(44)，所述喷气装置(43)位于传送带(42)上表面的下方；

所述喷气装置(43)包括储气筒(431)、凸轮驱动装置，所述储气筒(431)具有储气腔(432)，所述储气腔(432)一端的上方设置有出气板(437)，所述出气板(437)上设置有出气孔；另一端设置有活塞(433)；所述活塞(433)一端设置有延伸出储气筒(431)的顶杆(435)，另一端与储气腔(432)的侧壁之间设置有弹簧(434)；所述出气板(437)位于传送带(42)上表面的正下方；

所述顶杆(435)的一端设置有凸轮(436)，所述凸轮(436)、顶杆(435)以及活塞(433)构成凸轮机构；所述凸轮(436)通过凸轮驱动装置驱动转动；

所述烘干炉区(1)包括炉体(11)，所述炉体(11)具有烘干炉腔，所述烘干炉腔顶部设置有连通烘干炉腔的抽气装置(15)；

所述炉体(11)的侧壁上设置有连通烘干炉腔的入气管(12)，所述入气管(12)在炉体(11)的侧面上沿长度方向均匀分布；所述入气管(12)在烘干炉腔内的入气口部分位于输送装置(4)上表面的上方，另一部分位于输送装置(4)上表面的下方；

所述炉体(11)顶部设置有空气加热鼓风装置(13)，所述空气加热鼓风装置(13)具有的出风口通过连通管道(17)与入气管(12)连通，所述空气加热鼓风装置(13)具有的进风口设置有空气过滤装置(14)；

还包括以下步骤：

1)首先硅片通过输送装置(4)运送至烘干炉区(1)；通过烘干炉区(1)对硅片进行烘干、预热；并且使得烘干炉区(1)内的烘干温度为320℃至380℃；

2)在烧结炉区(2)对硅片进行烧结，控制烧结炉区(2)内的风压为450至550Pa，烧结温度为600℃至850℃；

3)在冷却炉区(3)对硅片进行冷却，将硅片冷却至室温。

2.如权利要求1所述的硅片烧结工艺，其特征在于：在步骤1)中使得烘干炉区(1)内的烘干温度为350℃。

3.如权利要求2所述的硅片烧结工艺，其特征在于：在步骤1)中控制硅片进入烘干炉区(1)时的温度为20至22℃。

4.如权利要求3所述的硅片烧结工艺，其特征在于：在步骤2)中烧结炉区(2)内的风压为500Pa，烧结温度为800℃。

5.如权利要求1所述的硅片烧结工艺，其特征在于：所述抽气装置(15)的出气口设置有过滤装置(16)。

6.如权利要求5所述的硅片烧结工艺，其特征在于：所述空气加热鼓风装置(13)包括空气加热器和鼓风器，所述鼓风机的入气口与空气过滤装置(14)连通，所述鼓风机与空气加热器连通，所述空气加热器与入气管(12)连通。