[发明专利]硅片烧结工艺

说明书

本发明公开了一种能够使得硅片短暂悬空烘干，提高烧结质量的硅片烧结工艺。该硅片烧结工艺采用硅片可悬空烘干的烧结炉，包括步骤：1)首先硅片通过输送装置运送至烘干炉区；通过烘干炉区对硅片进行烘干、预热；并且使得烘干炉区内的烘干温度为320℃至380℃；2)在烧结炉区对硅片进行烧结，控制烧结炉区内的风压为450至550Pa，烧结温度为600℃至850℃；3)在冷却炉区对硅片进行冷却，将硅片冷却至室温。采用该硅片烧结工艺，能够提高烧结效率，提高烧结质量。

技术领域

本发明涉及太阳能电池片的烧结领域，尤其是一种硅片烧结工艺。

背景技术

众所周知的：在太阳电池片的整个生产工艺流程中，扩散、镀膜和烧结三道工序是最主要的，太阳电池片目前采用只需一次烧结的共烧工艺；同时形成上下电极的欧姆接触。

现有技术中太阳能电池片的烧结工艺主要包括三个步骤烘干预热、烧结、冷却；太阳能电池片进行烧结的设备一般采用烧结炉，烧结炉包括烘干区，烧结区和冷却区。

烧结是使晶体硅基片真正具有光电转换功能的至关重要的一步。因此，烧结设备的性能好坏直接影响着电池片的质量。

现有的烧结炉的烘干炉区的烘干气流均从烘干炉体的顶部的中间位置进入，然后向两端形成两股气流，最后由烘干炉区的下部进行收集然后通过抽风装置将废气抽走。

由于热气流向上升腾，因此现有技术中烘干炉区内的烘干气流主要通过抽风机提供形成气流的动力，气流逆向流动，从而能耗高，烘干效率较低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种能够使得硅片短暂悬空烘干，提高烧结质量的硅片烧结工艺。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：硅片烧结工艺，包括烘干炉区、烧结炉区、冷却炉区以及输送装置，所述输送装置依次贯穿烘干炉区、烧结炉区、冷却炉区；

位于烘干炉区内的输送装置上设置有喷气装置；所述输送装置包括前后两个驱动辊以及支撑座；所述驱动辊通过支撑座支撑，所述驱动辊上缠绕有传送带，所述传送带为传送网；所述支撑座上设置有驱动驱动辊转动的驱动装置；

所述传送带两侧设置有限位挡板，所述喷气装置位于传送带上表面的下方；

所述喷气装置包括储气筒、凸轮驱动装置，所述储气筒具有储气腔，所述储气腔一端的上方设置有出气板，所述出气板上设置有出气孔；另一端设置有活塞；所述活塞一端设置有延伸出储气筒的顶杆，另一端与储气腔的侧壁之间设置有弹簧；所述出气板位于传送带上表面的正下方；

所述顶杆的一端设置有凸轮，所述凸轮、顶杆以及活塞构成凸轮机构；所述凸轮通过凸轮驱动装置驱动转动；

所述烘干炉区包括炉体，所述炉体具有烘干炉腔，所述烘干炉腔顶部设置有连通烘干炉腔的抽气装置；

所述炉体的侧壁上设置有连通烘干炉腔的入气管，所述入气管在炉体的侧面上沿长度方向均匀分布；所述入气管在烘干炉腔内的入气口部分位于输送装置上表面的上方，另一部分位于输送装置上表面的下方；

所述炉体顶部设置有空气加热鼓风装置，所述空气加热鼓风装置具有的出风口通过连通管道与入气管连通，所述空气加热鼓风装置具有的进风口设置有空气过滤装置。

还包括以下步骤：

1)首先硅片通过输送装置运送至烘干炉区；通过烘干炉区对硅片进行烘干、预热；并且使得烘干炉区内的烘干温度为320℃至380℃；

2)在烧结炉区对硅片进行烧结，控制烧结炉区内的风压为450至550Pa，烧结温度为600℃至850℃；

3)在冷却炉区对硅片进行冷却，将硅片冷却至室温。