[发明专利]基板处理装置和隔热板有效
| 申请号： | 201711216223.1 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108122727B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 小川裕之;清水昭贵;土场重树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 隔热板 基板处理装置 处理容器 分隔板 等离子体生成空间 自由基 等离子体 方式配置 工艺模块 金属形成 对基板 隔热 配置 收容 | ||
1.一种基板处理装置，具备：处理容器，其收容基板；分隔构件，其配置于在该处理容器内产生的等离子体与所述基板之间，所述分隔构件选择性地使所述等离子体中的自由基朝向所述基板透过，该基板处理装置的特征在于，
具备配置于所述分隔构件与所述基板之间的隔热板，
所述隔热板以与所述基板相对的方式配置，
所述隔热板由金属形成，与所述处理容器连接，
所述隔热板构成所述处理容器的一部分。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述隔热板和所述处理容器均由铝或铝合金形成。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述隔热板具有使处理气体朝向所述基板喷出的多个喷出口。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述隔热板具有沿着厚度方向贯通的自由基通路，该自由基通路的截面形状随着朝向所述基板去而扩径。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述隔热板由电介质覆盖。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
所述电介质由钇化合物或硅形成。
7.一种基板处理装置，具备：处理容器，其收容基板；分隔构件，其配置于在该处理容器内产生的等离子体与所述基板之间，所述分隔构件选择性地使所述等离子体中的自由基朝向所述基板透过，该基板处理装置的特征在于，
具备配置于所述分隔构件与所述基板之间的隔热板，
所述隔热板以与所述基板相对的方式配置，
所述隔热板由硅形成，与所述处理容器连接，
所述隔热板构成所述处理容器的一部分。
8.一种隔热板，其配置于分隔构件与基板之间，该分隔构件配置于等离子体与所述基板之间，选择性地使所述等离子体中的自由基朝向所述基板透过，该隔热板的特征在于，
所述隔热板以与所述基板相对的方式配置，
所述隔热板由金属形成，
所述隔热板被配置为与收容所述基板的处理容器连接，并构成所述处理容器的一部分。
9.一种隔热板，其配置于分隔构件与基板之间，该分隔构件配置于等离子体与所述基板之间，选择性地使所述等离子体中的自由基朝向所述基板透过，该隔热板的特征在于，
所述隔热板以与所述基板相对的方式配置，
所述隔热板由硅形成，
所述隔热板被配置为与收容所述基板的处理容器连接，并构成所述处理容器的一部分。
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